用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法技术

本发明专利技术公开了用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。该方法包括：(1)将多晶硅棒加热至800℃～900℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的多晶硅棒冷却至150℃～200℃，冷却速率为10℃/min～30℃/min；(3)采用水冷法将步骤(2)得到的多晶硅棒进行冷却破碎，得到小尺寸多晶硅，其中，步骤(1)～(3)均在惰性气氛下进行。该方法不仅工艺简单，适合大批量生产，而且有利于降低小尺寸电子多晶硅表面裂纹数量和杂质含量，同时提高硅料收率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法


[0001]本专利技术属于多晶硅领域，具体而言，涉及一种用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子多晶硅是目前人类制造纯度最高的工业原料，纯度可达到13个9，是生产集成电路用晶圆的核心原材料。通过改良西门子法生产的电子多晶硅需要经过破碎才可以在后续直拉单晶中使用。近年来，直拉单晶多采用复投法，也就是在拉制过程中添加小尺寸硅料，但小尺寸硅料(粒径为10mm～30mm)由于比表面积较大，容易被非硅元素污染，同时，与大尺寸硅料(粒径为60mm～100mm)相比，小尺寸硅料堆积密度较大，清洗处理难度更大，工艺要求更为复杂。而复投法拉直单晶对非硅元素又特别敏感，微量的杂质就会导致单晶拉制断线，造成拉制失败。因此，对用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅的制备工艺异常重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。该方法不仅工艺简单，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅的方法，其特征在于，包括：(1)将多晶硅棒加热至800℃～900℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的所述多晶硅棒冷却至150℃～200℃，冷却速率为10℃/min～30℃/min；(3)采用水冷法将步骤(2)得到的多晶硅棒进行冷却破碎，得到小尺寸多晶硅，其中，步骤(1)～(3)均在惰性气氛下进行。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：(4)对步骤(3)得到的小尺寸多晶硅依次进行二次破碎处理和筛分处理。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述加热的升温速率为40℃/min～60℃/min。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述保温的时间为4h～6h。5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天雨，田新，蒋文武，吴鹏，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：