一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置及其加料方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了侧面加料装置技术领域的一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置及其加料方法，包括料箱和加料管，其特征在于：所述料箱设置在生长炉侧面炉壁上，所述加料管固定连接在料箱底部且内部贯通；所述加料管上固定有电机，所述电机的输出轴固定连接有传动轴，所述传动轴上设有下料组件和敲击组件；所述加料管上方设有控制机构；所述生长炉内侧炉壁固定设有挡环，所述挡环滑动连接有延伸机构；所述延伸机构包括导架，所述导架下端固定有加长组件，所述导架与固定连接在加料管上的导轨滑动连接，所述导轨上端与导架上端设有一对磁性组件；所述料箱内设有破碎机构和推料组件。所述料箱内设有破碎机构和推料组件。所述料箱内设有破碎机构和推料组件。

【技术实现步骤摘要】
一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置及其加料方法


[0001]本专利技术涉及侧面加料装置
，具体为一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置及其加料方法。

技术介绍

[0002]单晶硅用途广泛且制备成本高，其中利用坩埚直拉法制备CZ硅是应用最广泛的制备方法之一。此方法需要用到单晶硅生长炉，设备内包括石英坩埚。在制备时，将石英坩埚放置在设备内，向石英坩埚中加入多晶硅原料再进行抽真空、充入保护气体、熔化、引晶、缩颈、放肩、等颈和收尾。
[0003]由于单晶硅的材料特殊性，石英坩埚属于一次性消耗品。且每一炉生产过程中，石英坩埚内的原料熔化后，石英坩埚会多出至少三分之一的容积无法利用，导致出现产量低，成本高的问题。
[0004]但是目前在直拉式单晶硅制备中，由于其生长炉需要保持真空和高温等特殊环境，导致加料环境要求高、难度大，其难度主要体现在：硅料的添加通常是粉状的，因为块状的硅料不但不好控制添加量还会导致坩埚内的硅液发生溅射，进而污染和损坏炉体；但是粉状的硅料，添加过程中也容易产生飘散，从坩埚与炉体的间隙中飘落，污染炉体。所以制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置，包括生长炉(1)、料箱(2)和加料管(18)，所述生长炉(1)内底部设置有能够放置并加热坩埚的加热圈，其特征在于：所述生长炉(1)侧壁对应于加热圈底部位置开设有炉门(3)；所述炉门(3)和炉体上均设置有挡环(13)，所述挡环(13)内壁轴向滑动设置有环状的挡板(14)，位于炉门(3)上的挡板部分能够与炉体上的挡板部分轴向固定配合，并形成一个完整的环体；所述挡板(14)上方的炉体侧壁设置有加料管(18)，当加料管(18)加料时，挡板(14)能够轴向向下移动并贴合石英坩埚(17)上端口；所述料箱(2)设置在生长炉(1)侧面炉壁上，所述加料管(18)固定连接在料箱(2)底部且内部贯通；所述加料管(18)上固定有电机(19)，所述电机(19)的输出轴固定连接有传动轴(29)，所述传动轴(29)上设有下料机构；所述加料管(18)上方设有控制机构；所述加料管(18)上固定连接有导杆(27)，所述导杆(27)上弹性滑动连接有导架(15)，所述导杆(27)上端与导架(15)上端设有一对用于驱动导架(15)滑动的磁性组件。2.根据权利要求1所述的一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置，其特征在于：所述下料机构包括固定连接在传动轴(29)上的下料板(11)，所述下料板(11)设置在加料管(18)内部，所述下料板(11)与加料管(18)内腔壁贴合且可滑动。3.根据权利要求1所述的一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置，其特征在于：所述导杆(27)与导架(15)之间设置有弹簧(16)，所述磁性组件包括固定连接在导杆(27)上端的电磁铁(8)，和固定连接在导架(15)上端的磁铁(9)，所述电磁铁(8)的下端磁极和磁铁(9)的上端磁极相同；所述电磁铁(8)与电机(19)电路电性连接。4.根据权利要求1所述的一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置，其特征在于：所述控制机构包括转动设置在加料管(18)上方的滚齿(10)，所述滚齿(10)一侧啮合有带轮齿的挡料板(7)，所述挡料板(7)滑动设置在加料管(18)内；所述滚齿(10)另一侧与导架(15)的轮齿部分啮合。5.根据权利要求1所述的一种自动控制添加量的智能型侧面加料装置，其特征在于：所述导架(15)下端与挡板(14)固定连接，所述挡板(14)可在导架(15)的带动下上下滑...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金海，赵培林，
申请(专利权)人：浙江晶阳机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：