一种用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法技术

本发明专利技术涉及半导体单晶硅制备技术领域，具体涉及一种用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，包括如下步骤：步骤一、将颗粒硅装锅，调整底部加热器功率大于上部主加热器功率；步骤二、复投，复投过程中的第一桶加多晶，之后每桶加料以多晶铺底，中间层为颗粒硅，顶部为多晶覆盖；步骤三、复投完成后，调整主加热器功率和底加热器功率进行剔除杂质。本发明专利技术能够防止颗粒硅跳硅，同时可以有效缩短化料工时，提高化料效率。也可以改善氧含量，降低氧≤0.5ppmm。本发明专利技术还增加了投颗粒硅重量，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法


[0001]本专利技术涉及半导体单晶硅制备
，尤其涉及一种用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法。

技术介绍

[0002]目前，相比块状硅而言，颗粒硅的电耗、单位投资额以及人工成本方面具有理论上的优势。但运用到实际中，颗粒硅的投料一般采用复投器复投的方式，装埚存在一定的风险，由于颗粒硅本身含有氢气，会产生“氢跳”、颗粒硅撞击器壁等问题，造成生产工序的中断线，并引起碳基内衬、加热线圈、石英坩埚等部件的损坏，因此使得颗粒硅的使用量受到限制。
[0003]申请号为202211003699.8，专利技术名称为一种有效抑制颗粒硅溅硅跳硅的加料方法的专利技术专利申请，其通过对颗粒硅装料方式及现场工艺进行调整，颗粒硅装料方式的调整包括颗粒硅投入阶段的调整及颗粒硅在料筒中加料位置的调整，现场工艺调整包括氩气流量及干泵频率调整、加料埚位调整、加料间隔时间控制和加热器功率调整。但是其功率调整采用的是主加热器的功率大于底部加热器的功率，此种常规的调整方式，其无法在防跳硅的同时有效提高化料效率及降低氧含量。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将颗粒硅装锅，调整底部加热器功率大于上部主加热器功率；步骤二、复投，复投过程中的第一桶加多晶，之后每桶加料以多晶铺底，中间层为颗粒硅，顶部为多晶覆盖；步骤三、复投完成后，调整主加热器功率和底加热器功率进行剔除杂质。2.根据权利要求1所述用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，其特征在于，步骤一中调整底部加热器功率比上部主加热器功率大30
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60kw。3.根据权利要求1所述用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，其特征在于，所述主加热器功率为70
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90kw，底部加热器功率为120
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150kw。4.根据权利要求1所述用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，其特征在于，步骤一中以450kg颗粒硅装锅计，装锅后的颗粒硅上面覆盖120
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150kg多晶。5.根据权利要求4所述用于提高颗粒硅投料重量的成晶方法，其特征在于，所述复投过程中共计加料4桶，加入颗粒硅的总重量为120
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150kg，第一桶料加多...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建宇，王艺澄，王军磊，
申请(专利权)人：云南美科新能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：