一种电子级硅料清洗装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种电子级硅料清洗装置及方法，包括第一酸洗槽、第二酸洗槽、第三酸洗槽和精馏装置，精馏装置将分离后的硝酸返回第一酸洗槽，氢氟酸和水流入第二酸洗槽，精馏装置对第一酸洗槽内酸液的分离和循环，第一检测装置对第一酸洗槽内的硝酸浓度进行检测，根据检测结果控制第一酸洗槽的硝酸补充口的流量，第二检测装置对第二酸洗槽内的氢氟酸浓度进行检测，通过控制第一酸洗槽内补充的硝酸流量，使得第一酸洗槽内硝酸的下降梯度与第二酸洗槽内的氢氟酸上升的梯度保持在最佳范围，有助于控制酸液的有效浓度，第二酸洗槽内氢氟酸浓度上升有利于刻蚀能力的发挥，提高清洗效率，降低了酸液的使用量，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅生产，具体涉及一种电子级硅料清洗装置及方法。

技术介绍

1、电子级多晶硅是半导体工业的主要原材料，硅基半导体目前仍是最为广泛使用的半导体材料，在现代工业中发挥着巨大作用，电子级多晶硅多采用改良西门子工艺，产出的硅棒需要在破碎成合适粒径的硅料小块后进行清洗，以去除表面可能附着的杂质，达到下游高质量单晶的拉制需求，硅料清洗的主流工艺是采用硝酸和氢氟酸的混合溶液进行刻蚀，将硅块置入酸洗篮中，然后放入酸洗槽内进行表面蚀刻，该生产为批次性生产，每批次硅料为固定重量，分成多批次轮流进入酸洗槽进行清洗。

2、因为混合酸液在初始配置的时候，高纯硝酸与高纯氢氟酸都采用饱和溶液按照一定比例进行混合，但是在生产一段时候，因为酸与硅料产生反应导致酸液中硝酸与氢氟酸的比例产生变化，同时反应有水的产生导致了酸的有效浓度下降，这对于后半段批次的硅料清洗造成了困扰。

3、公开于该
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部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术的总体
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的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。p>

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【技术保护点】

1.一种电子级硅料清洗装置，其特征在于，包括：依次设置的第一酸洗槽、第二酸洗槽和第三酸洗槽；

2.根据权利要求1所述的电子级硅料清洗装置，其特征在于，所述精馏装置为精馏塔。

3.一种所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，用于如权利要求1所述的电子级硅料清洗装置，包括：

4.根据权利要求3所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内氢氟酸和硝酸配比分别为1：5~1：15、1：20~1：40、1：40~1：100。

5.根据权利要求3所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，硅料在所述第一酸洗槽、所述第二酸...

【技术特征摘要】

1.一种电子级硅料清洗装置，其特征在于，包括：依次设置的第一酸洗槽、第二酸洗槽和第三酸洗槽；

2.根据权利要求1所述的电子级硅料清洗装置，其特征在于，所述精馏装置为精馏塔。

3.一种所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，用于如权利要求1所述的电子级硅料清洗装置，包括：

4.根据权利要求3所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽内氢氟酸和硝酸配比分别为1：5~1：15、1：20~1：40、1：40~1：100。

5.根据权利要求3所述的电子级硅料清洗方法，其特征在于，硅料在所述第一酸洗槽、所述第二酸洗槽和所述第三酸洗槽分别停留的时间为100~500秒。

6.根据权利要求3所述的电子级硅料清...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锋，徐玲锋，韩秀娟，田新，蒋文武，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：