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本发明公开了用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。该方法包括：(1)将多晶硅棒加热至800℃～900℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的多晶硅棒冷却至150℃～200℃，冷却速率为10℃/min～30℃/min；(3)...
该专利属于江苏鑫华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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