用于存储器的读取电路、存储器和电子装置制造方法及图纸

公开了一种用于存储器的读取电路、存储器和电子装置。该读取电路包括：多个读取单元，每个读取单元连接存储器的对应位线，每个读取单元包括钳位支路和检测支路，钳位支路用于为对应的位线提供钳位电压，并且包括MP1钳位管，所述检测支路包括MN1检测管，MP1钳位管的源极获取第一电压Vref，栅极连接检测支路上的MN1管的源极，漏极连接所述检测晶体管的栅极，所述MN1管的源极连接所述位线；以及公共稳压支路，用于为每个读取单元的钳位支路中的钳位晶体管提供所述第一电压V

【技术实现步骤摘要】
用于存储器的读取电路、存储器和电子装置


[0001]本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种用于存储器的读取电路以及相应的存储器和电子装置。

技术介绍

[0002]在现有的非易失性存储器芯片中，读出放大器(SenseAmplifier，其后也称为“SA”)通过比较参考电流和位线上的输出电流来判定被选中存储单元内的存储内容。
[0003]在对更大存储容量的追求中，需要在存储器芯片内部包含更多的存储单元，导致整体芯片面积增大，并且需要的读出放大器(SenseAmplifier，其后也称为“SA”)数量也相应地增多。为此，如何能够在确保正确读取的同时减小读出放大器的面积成为本领域技术人员所需面临的一大问题。
[0004]为此，需要一种改进的存储内容读取方案。

技术实现思路

[0005]本公开要解决的一个技术问题是提供一种用于存储器的读取电路，该电路通过引入公共稳压支路，并为每个检测支路配备结构简单的钳位支路，大幅降低了为每条位线提供钳位电压所需的晶体管数量，从而进一步简化电路结构并有助于存储器芯片的小型化。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于存储器的读取电路，包括：多个读取单元，每个读取单元连接存储器的对应位线，每个读取单元包括钳位支路和检测支路，钳位支路用于为对应的位线提供钳位电压，并且包括第一钳位晶体管(MP1)，所述检测支路包括检测晶体管(MN1)，所述第一钳位晶体管的源极获取第一电压Vref，栅极连接所述检测晶体管的源极，漏极连接所述检测晶体管的栅极，所述检测晶体管(MN1)的源极连接所述位线；以及公共稳压支路，用于为每个读取单元的钳位支路中的所述第一钳位晶体管提供所述第一电压V
ref
。2.如权利要求1所述的读取电路，其中，所述公共稳压支路包括运算放大器和第二钳位晶体管(MP2)，所述运算放大器的第一输入端连接输入电压V
in
，第二输入端经由所述第二钳位晶体管连接所述输出端，其中，使得第一钳位晶体管的栅源电压V
gsp1
等于所述第二钳位晶体管的阈值电压V
thp2
，以将所述检测晶体管的源极电压V
s
钳位至所述输入电压V
in
。3.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方海彬，王也，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：