一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法技术

一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法，属于激光加工领域。本发明专利技术使用飞秒激光液相辐照加工技术，在氢氧化钾液相体系中对高纯钴靶材进行液相辐照，制备获得单晶羟基氧化钴纳米片，该纳米片可用于析氢催化反应与生物检测等。应与生物检测等。应与生物检测等。

【技术实现步骤摘要】
一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法


[0001]本专利技术使用飞秒激光液相辐照加工技术，在氢氧化钾液相体系中对高纯钴靶材进行液相辐照，制备获得单晶羟基氧化钴纳米片，该纳米片可用于析氢催化反应与生物检测等。本专利技术提供一种单晶羟基氧化钴纳米片的激光制备方法，属于激光加工领域。

技术介绍

[0002]自从1959年理查德
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菲利普斯
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费曼在演讲中首次提出了对纳米材料未来的设想后，纳米材料的广袤前景吸引了众多科研人的目光。与其它材料相比，纳米材料具有尺寸小、比表面积大、以及更多特殊的化学性能和物理性能，这些特殊性质驱使科学家们设计制备不同尺寸和维度的纳米材料并应用于医学、生物传感器、能源等领域，推动科学技术的进步和发展。
[0003]其中羟基氧化钴(CoOOH)纳米片是一种典型二维纳米材料，纳米片由非化学计量的羟基氧化物组成。CoOOH纳米片制备程序简单，表面具有丰富的羟基，使其具有高度的亲水性，易于在极性溶剂中分散，其具有良好的荧光淬灭能力和出色的氧化酶相似活性。r/>[0004]羟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无缺陷羟基氧化钴纳米片的一步飞秒激光制备方法，其特征在于，步骤如下：(1)称量氢氧化钾0
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5.6100克加入到50
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100ml去离子水，均加入烧杯中，得到溶液A；(2)将一个磁力转子置于溶液A中，在磁力搅拌机中持续搅拌0.01
‑
0.02h，转速为100
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700r/min，直至氢氧化钾完全融入去离子水中得到溶液B；(3)将直径为5cm的圆形Co用1000Cw的砂纸进行抛光30分钟；(4)将步骤(3)得到的Co放入烧杯中，加入乙醇超声清洗3次；(5)取出步骤(4)中Co，放入培养皿中，加入5ml的溶液B；(6)将(5)中培养皿置于三轴联动位移台上进行激光辐照加工，位移台加工速度为0.1
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10mm/s，激光光源波长为800nm、脉宽为35fs、重复频率为500
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁艳萍，王文博，何岸卿，王春莲，罗小毛，郭筱然，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：