一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法技术

本发明专利技术公开了一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，属于晶体生长技术领域，该载晶架包括第一挡板、第二挡板以及连接第一挡板和第二挡板的支撑板，其中，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有用以连接驱动源的连接杆，所述连接杆使得驱动源带动所述载晶架作滚筒式旋转运动。本发明专利技术所提供的载晶架和甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，采用横向滚筒式旋转方式，可以使溶液下层得到充分的搅拌，保证整个溶质的均匀性，可有效解决晶体生长过程中白纹等缺陷产生的问题。陷产生的问题。陷产生的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法


[0001]本专利技术涉及一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，属于晶体生长


技术介绍

[0002]甲胺溴铅(CH3NH3PbBr3)钙钛矿晶体在近年来凭借自身独特且优异的光学及光电性能，成为新型光电材料与半导体材料的热门方向，该材料具有载流子扩散长度大、载流子迁移率高、缺陷密度低以及高的光吸收系数等优点，在太阳能电池、发光二极管、场效应晶体管、光电探测器、忆阻器、激光器等诸多领域表现出极大的潜力。
[0003]甲胺溴铅钙钛矿单晶常见的生长方式有蒸发法、降温法、反溶剂扩散法、逆温结晶发等，晶体生长溶液中溶质因为重力，必定存在溶质分布不均匀的情况，载晶架在旋转的过程中很难保证溶质在溶液中上下层的均匀分布，从而导致晶体在生长过程中出现白纹等宏观缺陷，这些缺陷一旦产生，缺陷处晶体会迅速生长，从而导致主晶体生长停滞，达不到预计尺寸，造成晶体生长失败。
[0004]为此，本专利技术提出了一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载晶架，其特征在于，包括第一挡板、第二挡板以及连接第一挡板和第二挡板的支撑板，其中，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有用以连接驱动源的连接杆，所述连接杆使得驱动源带动所述载晶架作滚筒式旋转运动。2.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和第二挡板相向的一侧均开设有用以籽晶端部嵌入的孔道。3.根据权利要求2所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和/或第二挡板上设置有固定螺母用以锁紧籽晶端部。4.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述支撑板上设置有扰流面；优选地，所述支撑板的截面设置为三角形，以使支撑板外侧面形成扰流面。5.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有搅拌桨；优选地，所述搅拌桨设置于第一挡板和/或第二挡板的外侧面。6.一种甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，使用权利要求1
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5中任一项所述的载晶架制备，包括以下步骤：将籽晶固定在第一挡板和第二挡板之间；将载晶架放置于装载有生长溶液的生长槽中；开启驱动源带动载晶架作滚筒式旋转运动。7.根据权利要求6所述的甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国宗，胡子钰，张敏，李鹏飞，孙元龙，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：