晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备，在晶圆缺陷监控方法中先提供包括晶圆在执行不同的半导体制程工艺时的热点缺陷信息，然后，对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片进行扫描，以得到每片晶圆的特定位置的芯片的热点特征信息；接着，通过将热点特征信息与热点缺陷信息进行比较来判断特定位置的芯片是否存在缺陷，以判断晶圆是否存在缺陷，如此，实现有效监控晶圆中的缺陷，并且在确定晶圆存在缺陷之后，对存在缺陷的晶圆的非特定位置芯片进行扫描可以确定晶圆中芯片缺陷的数量信息，通过数量信息可以直观的反映晶圆中的缺陷分布，从而及时解决缺陷，提升产品的良率。产品的良率。产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路的迅速发展，其制程工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制程工艺一般都需要经过多个工艺设备中完成数百个工艺步骤，通过这些工艺步骤逐步在晶圆上形成多个工艺膜层，最终形成需要的电路结构。由于晶圆在不同的工艺设备之间的流转，在半导体工艺制程中会不可避免的出现缺陷，从而造成良率损失。
[0003]目前，对于晶圆的缺陷检监控主要是通过扫描机台对晶圆进行分区扫描，即将晶圆分为多个区域，然后根据扫描后所形成的图像的灰阶值来判断晶圆中是否存在缺陷。但是由于晶圆的区域划分不够清晰，导致无法真实的监控晶圆中的缺陷情况，导致一些严重的缺陷(killer defect)未被检测出来，从而影响产品的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备，以有效监控晶圆中的缺陷，提升产品的良率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆缺陷监控方法，包括：
[0006]提供晶圆数据库，所述晶圆数据库包括晶圆在执行不同的半导体制程工艺时的热点缺陷信息；
[0007]对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片进行扫描，以得到每片所述晶圆的特定位置的芯片的热点特征信息；
[0008]将所述热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较，以判断特定位置的所述芯片是否存在缺陷，若是，则对存在缺陷的晶圆的非特定位置的芯片进行扫描，以得到所述晶圆中存在缺陷的芯片数量。
[0009]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，将所述热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较的方法包括：
[0010]从所述热点缺陷信息中提取热点缺陷特征；以及，
[0011]判断所述热点特征信息中是否具有所述热点缺陷特征，若是，则判断为所述热点特征信息对应的芯片存在缺陷。
[0012]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，对存在缺陷的晶圆的非特定位置的芯片进行扫描，以得到所述晶圆中的芯片的缺陷数量信息的方法包括：
[0013]将存在缺陷的晶圆中的非特定位置的芯片进行至少一次扫描，以得到存在缺陷的晶圆中的非特定位置的芯片的热点特征信息，将每个所述芯片的热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较，以判断所述芯片是否存在缺陷；以及，
[0014]统计所述晶圆中存在缺陷的芯片的数量。
[0015]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，所述热点缺陷信息包括晶圆表面的热点坐标。
[0016]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，在判断判断特定位置的所述芯片存在缺陷之后，还包括追踪与所述热点缺陷特征相关联的热点特征信息所对应的缺陷源。
[0017]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，提供各所述晶圆对应的制程工艺机台信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的热点特征信息所对应的缺陷源的方法包括：
[0018]根据所述制程工艺机台信息，筛选出与同一制程工艺机台相对应的存在缺陷的晶圆的热点特征信息；
[0019]从所述对应于同一制程工艺机台的存在缺陷的晶圆的热点特征信息中筛选出具有相同热点坐标的热点特征信息；以及，
[0020]将具有相同热点坐标的热点特征信息所出现的次数与一预定数量进行比较，若所述具有相同热点坐标的热点特征信息所出现的次数超过所述预定数量，则判定所述制程工艺机台为所述缺陷源。
[0021]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，所述半导体制程工艺包括有源区形成工艺、隔离区形成工艺和栅极形成工艺中的至少一种。
[0022]可选的，在所述的晶圆缺陷监控方法中，每片晶圆包括多个芯片，所述芯片至少包括半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和隔离区，所述有源区上形成有栅极，所述特定位置的芯片的有源区的面积不同，并且所述特定位置的芯片的隔离区的面积不同。
[0023]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种晶圆缺陷监控系统，包括：
[0024]晶圆缺陷数据提供模块，用于提供晶圆数据库，所述晶圆数据库包括晶圆的热点缺陷信息；
[0025]扫描模块，用于对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片和非特定位置的芯片进行扫描，以得到每片所述晶圆的特定位置的芯片和非特定位置的芯片的热点特征信息；缺陷判断模块，用于将所述热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较，以判断特定位置的所述芯片是否存在缺陷；
[0026]统计模块，用于统计所述晶圆中存在缺陷的芯片数量。
[0027]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种电子设备，包括
[0028]一个或多个处理器；
[0029]存储器，用于存储一个或多个程序，
[0030]当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上所述的晶圆缺陷监控方法。
[0031]在本专利技术提供的晶圆缺陷监控方法中，先提供包括晶圆在执行不同的半导体制程工艺时的热点缺陷信息的晶圆数据库，然后，对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片进行扫描，以得到每片晶圆的特定位置的芯片的热点特征信息；接着，通过将热点特征信息与热点缺陷信息进行比较来判断特定位置的芯片是否存在缺陷，以判断晶圆是否存在缺陷，如此，实现有效监控晶圆中的缺陷，并且在确定晶圆存在缺陷之后，对存在缺陷的晶圆的非特定位置的芯片进行扫描来得到晶圆中芯片缺陷的数量信息，通过数量信息可以直观的反映晶圆中的缺陷分布，从而及时解决缺陷，提升产品的良率。
附图说明
[0032]图1是本专利技术实施例提供的晶圆缺陷监控方法的流程示意图；
[0033]图2是本专利技术实施例提供的晶圆缺陷监控方法中的晶圆俯视图；
[0034]图3是本专利技术实施例提供的晶圆缺陷监控方法中的芯片俯视图；
[0035]图4是本专利技术实施例提供的晶圆缺陷监控系统的框图；
[0036]图5是本专利技术实施例提供的电子设备的框图；
[0037]其中，附图标记说明如下：
[0038]100
‑
晶圆；101a、101b
‑
芯片；110
‑
有源区；120
‑
隔离区；130
‑
栅极；
[0039]210
‑
晶圆数据提供模块；220
‑
扫描模块；230
‑
缺陷判断模块；240
‑
缺陷数量信息获取模块；
[0040]310
‑
处理器；320
‑
存储器；330
‑
输入装置；340
‑
输出装置。
具体实施方式
[0041]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷监控方法，其特征在于，包括：提供晶圆数据库，所述晶圆数据库至少包括晶圆在执行不同的半导体制程工艺时的热点缺陷信息；对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片进行扫描，以得到每片所述晶圆的特定位置的芯片的热点特征信息；以及，将所述热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较，以判断特定位置的所述芯片是否存在缺陷，若是，则对存在缺陷的晶圆的非特定位置的芯片进行扫描，以得到所述晶圆中的芯片的缺陷数量信息。2.如权利要求1所述的晶圆缺陷监控方法，其特征在于，将所述热点特征信息与所述热点缺陷信息进行比较的方法包括：从所述热点缺陷信息中提取热点缺陷特征；以及，判断所述热点特征信息中是否具有所述热点缺陷特征，若是，则判断为所述热点特征信息对应的芯片存在缺陷。3.如权利要求2所述的晶圆缺陷监控方法，其特征在于，对存在缺陷的晶圆的非特定位置的芯片进行扫描，以得到所述晶圆中的芯片的缺陷数量信息的方法包括：将存在缺陷的晶圆中的非特定位置的芯片进行至少一次扫描，以得到存在缺陷的晶圆中的非特定位置的芯片的热点特征信息，判断所述热点特征信息中是否具有所述热点缺陷特征，若是，则判断为所述热点特征信息对应的芯片存在缺陷；以及，统计所述晶圆中存在缺陷的芯片的数量。4.如权利要求1所述的晶圆缺陷监控方法，其特征在于，所述热点特征信息包括晶圆表面的热点坐标。5.如权利要求4所述的晶圆缺陷监控方法，其特征在于，在判断特定位置的所述芯片存在缺陷之后，还包括追踪与所述热点缺陷特征相关联的热点特征信息所对应的缺陷源。6.如权利要求5所述的晶圆缺陷监控方法，其特征在于，提供各所述晶圆对应的制程工艺机台信息，追踪所述热点缺陷特征相关联的热点特征信息所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱健，宋箭叶，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：