可以识别来自已经由审查工具审查的半导体样品的缺陷样本。此外，可以识别来自未经审查工具先前审查的半导体样品的候选样本。当确定新的位置的阈值距离内的先前审查的潜在缺陷的位置的数量指示已被先前审查过的该半导体样品的具有高潜在缺陷密度的区域时，选择位于该半导体样品的第二位置处的第二潜在缺陷，其中该第二位置位于该阈值距离之外。其中该第二位置位于该阈值距离之外。其中该第二位置位于该阈值距离之外。
【技术实现步骤摘要】
microscope,SEM)。
[0010]在一些实施方式中，对供审查工具审查的候选样本的选择进一步基于已经由审查工具审查的半导体晶片处的多个样本的分类结果。
[0011]在一些实施方式中，基于在与候选样本的位置邻近的位置处的多个样本的数量的对供审查工具审查的候选样本的选择与先前已由审查工具审查的多个样本的密度相关联。
[0012]在一些实施方式中，一种方法可识别已经由审查工具审查的半导体晶片处的样本，识别未经审查工具审查的半导体晶片处的候选样本，确定候选样本在半导体晶片处的位置，确定在与候选样本的位置邻近的位置处的已被审查的样本的数量，并且基于在与候选样本的位置邻近的位置处的样本的数量来选择候选样本以供审查工具审查。
[0013]在一些实施方式中，非暂态计算机可读介质可包括指令，所述指令在由处理装置执行时，使得处理装置识别已经由审查工具审查的半导体晶片处的样本，识别未经审查工具审查的半导体晶片处的候选样本，确定候选样本在半导体晶片处的位置，确定在与候选样本的位置邻近的位置处的已被审查的样本的数量，并且基于在与候选样本的位置邻近的位置处的样本的数量来选择候选样本以供审查工具审查。
[0014]在一些实施方式中，当确定候选样本的位置的阈值距离内的先前审查的潜在缺陷的位置的数量指示已被先前审查过的半导体样品的具有高潜在缺陷密度的区域时，选择位于半导体样品的第二位置处的第二潜在缺陷，其中第二位置位于阈值距离之外。
附图说明
[0015]通过下面给出的详细描述和本公开内容的各实施方式的附图，将更全面地理解本公开内容。
[0016]图1绘示了根据本公开内容的一些实施方式的引导检查系统的示例环境。
[0017]图2是根据一些实施方式的基于先前审查的候选样本的位置来选择供审查工具审查的候选样本的示例方法的流程图。
[0018]图3A绘示了根据一些实施方式的具有第一分布的审查样本的半导体晶片。
[0019]图3B绘示了根据一些实施方式的具有第一分布的审查样本的半导体晶片。
[0020]图4是根据本公开内容的一些实施方式的基于先前审查的样本的密度迭代选择供审查的样本子集的示例方法的流程图。
[0021]图5是可以在其中运行本公开内容的实施方式的示例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0022]本公开内容的各方面涉及基于空间密度分析的半导体晶片的引导检查。一般而言，半导体晶片检查系统可用于对半导体晶片进行检查。例如，半导体晶片检查系统可用于识别半导体晶片处的缺陷。
[0023]半导体晶片检查系统可包括光学工具和缺陷审查工具。例如，光学工具可用于在制造工艺之后或制造工艺期间识别半导体晶片处的潜在缺陷或候选缺陷。随后，缺陷审查工具可用于审查、分类或确定候选缺陷是否是实际缺陷或不是缺陷(例如，“误报警”)。半导体晶片可被制造成具有越来越小的特征结构，并且这些较小特征结构的检查可能伴随有特定量的检查噪声。由于特征结构越来越小并且半导体晶片检查系统与特定量的检查噪声相
关联，因此半导体晶片的较小特征结构可被识别为供缺陷审查工具审查的潜在缺陷，以确定这些潜在缺陷是否是实际缺陷或误报警。由于在半导体晶片上可能存在被识别为潜在缺陷的大量特征结构，因此审查每个潜在缺陷可能会占用大量时间。
[0024]本公开内容的各方面通过基于空间密度分析引导半导体晶片的检查来解决上述和其他缺陷。例如，半导体晶片的检查可以基于先前已审查过的半导体晶片处的潜在缺陷的位置。例如，光学工具可以识别半导体晶片处的多个候选缺陷的数量。可以识别候选缺陷的第一子集并将其提供给缺陷审查工具，以确定来自第一子集的任何候选缺陷是否是实际缺陷或不是缺陷。随后，可以基于先前审查的来自第一子集的候选缺陷的位置来识别候选缺陷的第二子集。可以基于先前审查的半导体晶片上的候选缺陷的位置密度来识别第二子集的候选缺陷。例如，可以选择第二子集中的候选缺陷，使得第二子集中的候选缺陷的位置与第一子集中的候选缺陷的位置相结合而在整个半导体晶片上大致均匀地分布。这样，可以基于先前审查的候选缺陷的位置来引导半导体晶片的检查，或者使得半导体晶片的检查进行主动学习。例如，半导体晶片的检查可包括迭代缺陷采样，其用于基于在先前迭代中的被先前审查的样本的位置来选择要审查的候选样本的子集。
[0025]本公开内容的优点包括，但不限于，改进的缺陷系统，其通过减少识别半导体晶片处的实际缺陷的时间量而产生。例如，由于半导体晶片的检查可以根据基于先前审查的潜在缺陷的位置而选择的潜在缺陷子集的迭代，因此所审查的潜在缺陷可以在整个半导体晶片上具有代表性，而不是集中在半导体晶片的特定位置。因此，可以分析增加数量的不同类型的潜在缺陷，并且半导体晶片的检查可使得在更少的时间量内获得更广泛的缺陷信息。例如，可以识别不同类型缺陷的不同分类。
[0026]图1绘示了引导检查系统100的示例环境。一般而言，引导检查系统100可包括检查工具110、缺陷采样部件120和缺陷审查工具130。
[0027]如图1所示，引导检查系统100包括检查工具110，检查工具110可用于从作为半导体制造工艺的一部分的对物体(例如，来自半导体晶片的样本)的检查中提供缺陷信息。所述检查可以是半导体制造工艺的一部分，并且可以在物体制造期间进行。引导检查系统100还可以使用在物体制造期间或之后获得的图像自动确定与半导体缺陷相关的信息。例如，检查工具110可以接收输入105并且可以在半导体晶片处生成潜在或候选缺陷(例如，候选样本)的地图。输入105可包括，但不限于，半导体晶片的图像、设计数据(例如，计算机辅助设计(CAD)数据指定包括对象的设计结构)，或指定已经由用户识别的半导体晶片的特定部分的感兴趣区域信息。在一些实施方式中，检查工具110可被配置为捕获检查图像。例如，检查工具110可以利用高速和/或低分辨率光学系统来获得半导体晶片的图像。由此产生的图像可提供潜在缺陷的信息。
[0028]可以将来自检查工具110的检查数据115提供给缺陷采样部件120。检查数据115可以识别半导体晶片处的潜在缺陷的位置。在一些实施方式中，缺陷采样部件120可以是缺陷检测系统的一部分。缺陷检测系统可被配置为处理所接收的检查数据115以选择供审查的候选样本(例如，潜在缺陷)。例如，缺陷采样部件120可以从检查数据115中选择一个或多个潜在缺陷或样本到缺陷审查工具130，以确定潜在缺陷是实际缺陷或不是实际缺陷(例如，误报警)并可以对任何实际缺陷进行分类。缺陷审查工具130可被配置为捕获由检查工具110检测到并且由缺陷采样部件120选择的潜在缺陷的至少一部分或子集的审查图像。例
如，缺陷审查工具130可包括相对于检查工具110的高速和/或低分辨率光学系统而言的低速和/或高分辨率光学系统。在一些实施方式中，缺陷审查工具130可以是扫描电子显微镜(SEM)。然后，可以将缺陷审查工具130的输出135提供给缺陷采样部件120，以选择待由缺陷审查工具130审查的附加潜在缺陷。
[0029]在操本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于检查半导体样品的系统，包括：存储器；和处理装置，与所述存储器可操作地耦合，用于：识别所述半导体样品的第一位置处的第一潜在缺陷，其中所述第一潜在缺陷显示指示实际缺陷的特征，接收有关于先前审查的潜在缺陷的位置的信息；确定所述第一潜在缺陷所在的所述第一位置的阈值距离内的所述先前审查的潜在缺陷的位置的数量；当确定所述新的位置的所述阈值距离内的所述先前审查的潜在缺陷的位置的所确定的所述数量指示已被先前审查过的所述半导体样品的具有高潜在缺陷密度的区域时，选择位于所述半导体样品的第二位置处的第二潜在缺陷，其中所述第二位置位于所述阈值距离之外。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述半导体样品是半导体晶片或所述半导体晶片的正在被制造的一部分。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：从所述半导体晶片的每个裸片或所述半导体晶片的所述一部分中选择预定数量的潜在缺陷以用于审查，其中所述半导体晶片包括多个基本相同的裸片。4.根据权利要求1所述的系统，其中，如果所述半导体样品的所述区域内的所述先前审查的潜在缺陷的位置的所述数量超过预定阈值数量，则所述处理装置确定所述区域具有高潜在缺陷密度。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：将有关于所述第一位置处的所述第一潜在缺陷的信息发送到审查工具。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步用于：将有关于所述第二位置处的所述第二潜在缺陷的信息发送到审查工具。7.根据权利要求6所述的系统，其中在将有关于所述第二位置处的所述第二潜在缺陷的信息发送到所述审查工具之前，所述处理装置进一步用于：确定所述第二潜在缺陷的识别标志不同于所述第一潜在缺陷的识别标志；和将有关于所述第二潜在缺陷的所述信息包括在发送到所述审查工具的潜在缺陷的子集中。8.一种通过处理装置进行半导体样品的引导检查的方法，所述方法包括：识别所述半导体样品的第一位置处的第一潜在缺陷，其中所述第一潜在缺陷显示指示实际缺陷的特征，接收有关于先前审查的潜在缺陷的位置的信息；确定所述第一潜在缺陷所在的所述第一位置的阈值距离内的所述先前审查的潜在缺陷的位置的数量；当确定所述新的位置的所述阈值距离内的所述先前审查的潜在缺陷的位置的所确定的所述数量指示已被先前审查过的所述半导体样品的具有高潜在缺陷密度的区域时，选择位于所述半导体样品的第二位置处的第二潜在缺陷，其中所述第二位置位于所述阈值距离之外。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体样品是半导体晶片或所述半导体晶片的正在被制造的一部分。10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚利尔，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。