一种双栅GaNHEMT器件及其制备方法、芯片技术

本申请属于半导体技术领域，提供了一种双栅GaN HEMT器件及其制备方法、芯片，通过在缓冲层和漂移层之间加入第一隔离层，在第一隔离层的一侧形成与源极金属层电连接的中间金属层的方式，在第一隔离层与漂移层之间形成耗尽区，以减弱势垒层与漂移层之间的压电极化效应，进而降低了势垒层与漂移层之间二维电子气(2DEG)的浓度，并通过在第一隔离层上设置第一屏蔽区和第二屏蔽区屏蔽栅极区域下方以外的第一隔离层，以控制栅极下方位置的2DEG保持较低的浓度，而其他位置的2DEG浓度不受影响，使得器件在开启过程中为了使2DEG的浓度达到开启条件需要输入更高的栅极电压，进而达到提升器件阈值电压的目的。器件阈值电压的目的。器件阈值电压的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种双栅GaN HEMT器件及其制备方法、芯片


[0001]本申请属于半导体器件
，尤其涉及一种双栅GaN HEMT器件及其制备方法、芯片。

技术介绍

[0002]氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor，GaN HEMT)具有超高的电子迁移率，拥有极低的导通电阻，然而，其阈值电压(Vth)较低，容易误开启，导致GaN HEMT器件在电子领域的使用场景受到限制。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种双栅GaN HEMT器件及其制备方法、芯片，旨在解决目前的GaN HMET器件阈值电压较低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例第一方面提供了一种双栅GaN HEMT器件，包括：
[0005]半导体衬底；
[0006]缓冲层和第一隔离层，依次层叠形成于所述半导体衬底上；其中，所述第一隔离层呈W形结构；
[0007]第一屏蔽区和第二屏蔽区，分别形成于所述第一隔离层上的两个凹槽内，且所述第一屏蔽区与所述第二屏蔽区互不接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双栅GaN HEMT器件，其特征在于，所述双栅GaN HEMT器件包括：半导体衬底；缓冲层和第一隔离层，依次层叠形成于所述半导体衬底上；其中，所述第一隔离层呈W形结构；第一屏蔽区和第二屏蔽区，分别形成于所述第一隔离层上的两个凹槽内，且所述第一屏蔽区与所述第二屏蔽区互不接触；漂移层和势垒层，层叠形成于在所述第一屏蔽区、第二屏蔽区以及所述第一屏蔽区和第二屏蔽区之间的间隔区域上；第二隔离层和栅极金属层，层叠形成于所述势垒层的部分区域上，所述第二隔离层与所述间隔区域相对设置；源极金属层和漏极金属层，形成于所述势垒层上，且位于所述第二隔离层的两侧；其中，所述源极金属层和所述漏极金属层分别位于所述第一屏蔽区与所述第二屏蔽区的屏蔽范围内；中间金属层，形成于所述第一隔离层的一侧，并与所述源极金属层电连接。2.根据权利要求1所述的双栅GaN HEMT器件，其特征在于，所述第二隔离层的宽度等于所述第一屏蔽区与所述第二屏蔽区之间的间隔区域的宽度。3.根据权利要求1所述的双栅GaN HEMT器件，其特征在于，所述漂移层部分覆盖所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区。4.根据权利要求3所述的双栅GaN HEMT器件，其特征在于，所述漂移层覆盖所述第一屏蔽区的面积大于所述第一屏蔽区的面积的二分之一；所述漂移层覆盖所述第二屏蔽区的面积大于所述第二屏蔽区的面积的二分之一。5.根据权利要求1所述的双栅GaN HEMT器件，其特征在于，所述源极金属层与所述第二隔离层之间的间隔距离小于所述漏极金属层与所述第二隔离层之间的间隔距离。6.根据权利要求5所述的双栅GaN H...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，李孟泽，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：