【技术实现步骤摘要】
一种晶圆研磨抛光系统
[0001]本专利技术涉及晶圆加工
,具体涉及一种晶圆研磨抛光系统。
技术介绍
[0002]随着半导体工业的飞速发展,集成电路制造技术已跨入5nm甚至更小水平。化学机械抛光简称CMP,是目前能提供超大规模集成电路制造过程中全面平坦化的主要技术,同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。
[0003]目前的化学机械抛光设备大都是只对晶圆的双面进行研磨抛光,无法同时对晶圆的侧壁抛光,导致研磨成本较高,同时,研磨抛光过程中,抛光垫的作用至关重要,抛光垫长时间工作过程中,若不及时更换将会造成研磨抛光的质量下降,若经常更换,又会增加生产成本。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆研磨抛光系统,解决上述技术问题。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:
[0006]一种晶圆研磨抛光系统,包括执行系统和控制系统,所述执行系统包括支撑组件,所述支撑组件的上方设有转动组件,所述转动组件的上方设有研磨组件,所述研磨组件的上方设有抛光组件,所述研磨组件的侧方设有抛光液添加组件;
[0007]所述控制系统包括主控制器、驱动模块、信号采集模块和信号处理分析模块,主控制器与驱动模块、信号采集模块和信号处理分析模块连接,用于控制整个系统运行,
[0008]驱动模块,与主控制器连接,用于执行系统中各驱动源工作;
[0009]信号采集模块,与主控制器连接 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨抛光系统,包括执行系统和控制系统,其特征在于,所述执行系统包括支撑组件(1),所述支撑组件(1)的上方设有转动组件(2),所述转动组件(2)的上方设有研磨组件(3),所述研磨组件(3)的上方设有抛光组件(4),所述研磨组件(3)的侧方设有抛光液添加组件(5);所述控制系统包括主控制器、驱动模块、信号采集模块和信号处理分析模块,主控制器与驱动模块、信号采集模块和信号处理分析模块连接,用于控制整个系统运行,驱动模块,与主控制器连接,用于执行系统中各驱动源工作;信号采集模块,与主控制器连接,用于采集研磨抛光过程中的压力和振动信号;信号处理分析模块,与主控制器连接,用于分析信号采集的相关数据,判断抛光垫的磨损程度。2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨抛光系统,其特征在于,所述支撑组件(1)包括支撑板(11),所述支撑板(11)的顶部一侧设有对称分布的两块第一安装板(12),所述支撑板(11)的顶部另一侧设有第一安装杆(13),所述第一安装杆(13)的顶部设有对称分布的两块第二安装板(14),所述支撑板(11)的顶部中间设有第二安装杆(15),所述第二安装杆(15)的一端设有支撑筒(16)。3.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨抛光系统,其特征在于,所述转动组件(2)包括第一电动机(21),所述第一电动机(21)固定在位于一侧的第一安装板(12)上,所述第一电动机(21)的输出轴贯穿第一安装板(12)固定连接有蜗杆(22),所述蜗杆(22)的侧方设有蜗轮(23),所述蜗轮(23)与蜗杆(22)啮合,所述蜗轮(23)的两侧设有对称分布的两个第一齿轮(24),且两个第一齿轮(24)与蜗轮(23)啮合,所述第一齿轮(24)和蜗轮(23)的底部都与支撑板(11)啮合,位于一侧的第一齿轮(24)的顶部设有连接杆(25),所述连接杆(25)的顶部设有第二齿轮(26)。4.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨抛光系统,其特征在于,所述研磨组件(3)包括第三齿轮(31),所述第三齿轮(31)和第一齿轮(24)规格一样,所述第三齿轮(31)与第二齿轮(26)啮合,所述第三齿轮(31)的顶部设有转动柱(32),所述转动柱(32)套设在支撑筒(16)内部,且转动柱(32)与支撑筒(16)转动连接,所述转动柱(32)的顶部设有研磨盘(33),所述研磨盘(33)底部和侧壁都设有抛光垫(34)。5.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨抛光系统,其特征在于,所述抛光组件(4)包括转动杆(41),所述转动杆(41)与位于另一侧的第一齿轮(24)的顶部固定连接,所述转动杆(41)依次贯穿第三齿轮(31)、转动柱(32)和研磨盘(33),且所述转动杆(41)的顶部设有第三安装板(42),所述第三安装板(42)上开设有对称分布的两个安装槽(43),所述转动杆(41)的两侧设有对称分布的两个抛光机构(44),所述抛光机构(44)设置在研磨盘(33)的上方。6.根据权利要5所述的一种晶圆研磨抛光系统,其特征在于,所述抛光机构(44)包括固定板(441),所述固定板(441)的两侧设有对称分布的两...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑勇,高敬帅,徐成龙,杨华斌,
申请(专利权)人:名正浙江电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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