【技术实现步骤摘要】
上研磨盘、上研磨盘组件以及研磨装置
[0001]本申请涉及蓝宝石衬底加工
,具体而言涉及上研磨盘、上研磨盘组件以及研磨装置。
技术介绍
[0002]半导体发展的基石是衬底材料,目前常见的衬底包括蓝宝石衬底,蓝宝石衬底有许多优点,首先蓝宝石衬底的生产技术成熟,器件质量较好,其次,蓝宝石稳定性很好,能够运用在高温生长过程中,最后蓝宝石机械强度高易于处理和清洗,因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底,尤其是在LED照明产业中蓝宝石衬底运用广泛。
[0003]目前市场上对蓝宝石的需求快速增长,蓝宝石在加工过程中一般先制备成晶片,然后需要对晶片进行精密研磨。在研磨过程中,一般通过研磨装置对晶片进行研磨。具体的,研磨装置包括上研磨盘、下研磨盘和多根输液导管。上研磨盘中均布有多个向下注液孔,多根导流管对应与上研磨盘中的多个向下注液孔连通,晶片被放置在上研磨盘与下研磨盘之间。在研磨时,依次通过多根导流管、多个注液孔向上研磨盘的研磨面所在一侧注入研磨液,并通过上研磨盘和下研磨盘相互配合对晶片进行研磨。
[0004]由于连 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上研磨盘,其特征在于,所述上研磨盘包括:上研磨盘体,所述上研磨盘体设置有第一盘内连接部和第一环形盘部,所述第一盘内连接部位于所述上研磨盘的回转轴线上;所述第一环形盘部围绕所述第一盘内连接部的外周设置并邻接所述第一盘内连接部;以及第一环向围挡组件,与所述第一环形盘部围合成第一环形积液槽,所述第一环形积液槽沿所述第一环形盘部的环向设置且位于所述第一环形盘部的上侧;其中,所述第一环形盘部设置有与所述第一环形积液槽连通的N组向下注液孔,每组所述向下注液孔具有绕所述第一环形盘部的环向分布的多个所述向下注液孔;其中,N大于或等于1。2.根据权利要求1所述的上研磨盘,其特征在于,所述N组向下注液孔沿所述上研磨盘的径向由内到外分布,N大于或等于2。3.根据权利要求2所述的上研磨盘,其特征在于,所述第一环向围挡组件包括:第一环内侧围挡件,设置于所述第一环形盘部并围挡于所述第一环形积液槽的环内侧;以及第一环外侧围挡件,设置于所述第一环形盘部并围挡设置于所述第一环形积液槽的环外侧;其中,所述第一环形盘部底部的研磨面设置有网状分布的导流槽,所述网状分布的导流槽分别连通所述多个向下注液孔。4.根据权利要求3所述的上研磨盘,其特征在于,N组所述向下注液孔所包含的所述向下注液孔的数量为120个~152个。5.根据权利要求4所述的上研磨盘,其特征在于,所述向下注液孔的横截面积为16mm2~32mm2,所述向下注液孔的深度为40mm~60mm。6.根据权利要求3所述的上研磨盘,其特征在于,相邻的两所述向下注液孔的相邻边缘之间的间距为9.5mm~10.5mm。7.一种上研磨盘组件,其特征在于,所述上研磨盘组件包括:上研磨盘,所述上研磨盘为如权利要求1
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6任意一项所述的上研磨盘;以及分流盘,所述分流盘的外周部与所述上研磨盘的外周部连接且位于所述第一环形盘部的上方,所述分流盘包括分流盘体和第二环向围挡组件,所述分流盘体设置有第二盘内连接部和第二环形盘部,所述第二盘内连接部位于所述上研磨盘的回转轴线上;所述第二环形盘部围绕所述第二盘内连接部的外周设置并邻接所述第二盘内连接部;所述第二环向围挡组件与所述第二环形盘部围合成第二环形积液槽,所述第二环形积液槽沿所述第二环形盘部的环向设置且位于所述第二环形盘部的上侧;其中,所述第二环形盘部与所述第一环形盘部相对间...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志宇,周志豪,廖志翔,李贤途,王海呈,
申请(专利权)人:福建晶安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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