一种高透明高屏蔽效能的EMI结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体设备领域，具体为一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，包括基材，所述基材的两面依次粘附有第一减反层和第二减反层，所述第一减反层的上表面粘附有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的上表面覆盖有第一黑化层，所述第一黑化层的上表面覆盖有保护膜，所述第二减反层的下表面粘附有第二黑化层，所述第二黑化层的下表面粘附有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层的下表面粘附有胶粘层。本发明专利技术能够有效减小电磁波透过率，进而增强了电磁屏蔽性能。进而增强了电磁屏蔽性能。进而增强了电磁屏蔽性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高透明高屏蔽效能的EMI结构


[0001]本专利技术涉及电磁屏蔽领域，具体为一种高透明高屏蔽效能的EMI结构。

技术介绍

[0002]目前，理论上屏蔽膜的屏蔽效率与透过率性能难以兼容，市面上电磁屏蔽膜不能完全满足消费者需求；
[0003]铜、银、金等材料因电导率较好，是制备高频电磁屏蔽产品的理想材料，而金属层反射率较高，若为追求高屏蔽效能，采用厚导电膜制备的EMI产品会严重影响侧视效果；若为追求高透过率，采用超薄导电膜制备的EMI产品其屏蔽效能低于30db，应用场景受限。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种应用于半导体等领域的导电材料的线路修复的设备，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，包括基材，所述基材的两面依次粘附有第一减反层和第二减反层，所述第一减反层的上表面粘附有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的上表面覆盖有第一黑化层，所述第一黑化层的上表面覆盖有保护膜，所述第二减反层的下表面粘附有第二黑化层，所述第二黑化层的下表面粘附有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层的下表面粘附有胶粘层。
[0006]优选的，所述保护膜为PET和PE保护膜的任意一种。
[0007]优选的，所述第一黑化层为氧化镍和氧化铜的一种，厚度为20～100nm。
[0008]优选的，所述第一屏蔽层为金属层，该金属层厚度为500nm～1um，线宽为5～12um，线距为250～400um，且金属层采用菱形和方格的一种。
[0009]优选的，所述基材为透明基材，采用PET、COP、PMMA、PC、PDMS以及PU材料的任意一种，厚度为100um～5mm。
[0010]优选的，所述第二减反层的折射率为1.7～2.6，厚度为20nm。
[0011]优选的，所述第二黑化层为氧化镍和氧化铜的一种，厚度为20～100nm。
[0012]优选的，所述胶粘层为OCA光学胶，其下表面贴附有PET离型膜。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0014]本专利技术中光线透过第一屏蔽层后经第一减反层、基材、第二减反层，使得光线经历两次半波损失，可以将反射光能量降低至最小，起到增透减反效果，提高结构材料的透过率；并且第一屏蔽层与第二屏蔽层之间有三层介质层，等效为两个并联导纳，能够有效减小了电磁波透过率，进而增强了电磁屏蔽性能。
附图说明
[0015]图1为本专利技术结构示意图。
[0016]图中：保护膜1、第一黑化层2、第一屏蔽层3、第一减反层4、基材5、第二减反层6、第
二黑化层7、第二屏蔽层8、胶粘层9。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，包括基材5，基材5的两面依次粘附有第一减反层4和第二减反层6，第一减反层4的上表面粘附有第一屏蔽层3，第一屏蔽层3的上表面覆盖有第一黑化层2，第一黑化层2的上表面覆盖有保护膜1，第二减反层6的下表面粘附有第二黑化层7，第二黑化层7的下表面粘附有第二屏蔽层8，第二屏蔽层8的下表面粘附有胶粘层9。
[0019]进一步地，第二屏蔽层8的图案相对屏蔽层3旋转42～48
°
，从理论上来说，屏蔽层8与屏蔽层3完全重叠效果最佳，然而由于线宽很窄，在实际操作中公模难以完全对正，稍有偏差将会导致严重的摩尔纹，而旋转42～48
°
，容错率较高，此时摩尔纹程度降低至最轻(肉眼不可见)。
[0020]保护膜1为PET和PE保护膜的任意一种。
[0021]第一黑化层2为氧化镍和氧化铜的一种，厚度为20～100nm。
[0022]第一屏蔽层3为金属层，该金属层厚度为500nm～1um，线宽为5～12um，线距为250～400um，且金属层采用菱形和方格的一种。
[0023]基材5为透明基材，采用PET、COP、PMMA、PC、PDMS以及PU材料的任意一种，厚度为100um～5mm。
[0024]第二减反层6的折射率为1.7～2.6，厚度为20nm。
[0025]第二黑化层7为氧化镍和氧化铜的一种，厚度为20～100nm。
[0026]进一步地，通过设置第二黑化层7能够降低屏蔽层8的表面反射率。
[0027]胶粘层9为OCA光学胶，其下表面贴附有PET离型膜。
[0028]进一步地，通过设置PET离型膜能够防止金属面氧化，也便于后续安装贴合。
[0029]本专利技术在实际使用时，由于光从光疏介质进入光密介质时反射光有半波损失，而光线透过第一屏蔽层3后经第一减反层4、基材5、第二减反层6，光线经历两次半波损失，将反射光能量降低至最小，起到增透减反效果，提高结构材料的透过率。第一屏蔽层3与第二屏蔽层8之间有三层介质层，等效为两个并联导纳，减小了电磁波透过率，进而增强了电磁屏蔽性能。
[0030]上文一般性的对本专利技术做了详尽的描述，但在本专利技术基础上，可以对之做一些修改或改进，这对于
的一般技术人员是显而易见的。因此，在不脱离本专利技术思想精神的修改或改进，均在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，包括基材(5)，其特征在于：所述基材(5)的两面依次粘附有第一减反层(4)和第二减反层(6)，所述第一减反层(4)的上表面粘附有第一屏蔽层(3)，所述第一屏蔽层(3)的上表面覆盖有第一黑化层(2)，所述第一黑化层(2)的上表面覆盖有保护膜(1)，所述第二减反层(6)的下表面粘附有第二黑化层(7)，所述第二黑化层(7)的下表面粘附有第二屏蔽层(8)，所述第二屏蔽层(8)的下表面粘附有胶粘层(9)。2.根据权利要求1所述的一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，其特征在于：所述保护膜(1)为PET和PE保护膜的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，其特征在于：所述第一黑化层(2)为氧化镍和氧化铜的一种，厚度为20～100nm。4.根据权利要求1所述的一种高透明高屏蔽效能的EMI结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，李慧，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：