一种改善刻蚀节点粗大的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善刻蚀节点粗大的方法，该改善方法包括以下步骤，S1：设计；S2：选材；S3：覆膜：在黄光氛围下，以热压方式在超薄导电薄膜的导电层面，覆上一层厚度均一的光刻胶；S4：菲林制作；S5：曝光：将光刻胶覆盖的超薄导电薄膜放置在曝光机内，以菲林掩膜为图案模板，在紫外光氛围下，使光刻胶发生交联反应；S6：显影；S7：水洗风干：用纯水洗去材料表面残留化学药品；S8：检测；S9：蚀刻；S10：脱模；S11：再次水洗风干；S12：再次检测；本发明专利技术通过菲林掩模上制备图案通过设置打断点，增大曝光能量，通过光的衍射，让打断点相连，此时干膜图案中，线路相连处的线宽小于主体线宽，从而达到减少线路交叉节点处存在金属残留的效果。减少线路交叉节点处存在金属残留的效果。减少线路交叉节点处存在金属残留的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种改善刻蚀节点粗大的方法


[0001]本专利技术涉及精细线路的
，具体为一种改善刻蚀节点粗大的方法。

技术介绍

[0002]精细线路是一种在透明基板上制备的电子线路结构，用于各种电子设备和显示技术中。微细加工技术是制备透明薄膜电极的关键，该技术使用光刻、薄膜沉积和蚀刻等步骤，在透明基板上定义出微细的导电线路，光刻技术利用光敏材料和光掩模，通过曝光和显影过程，在薄膜上形成所需的图案。然后，透明导电材料通过薄膜沉积技术(如物理气相沉积、磁控溅射或化学气相沉积)沉积在光刻定义的区域上，最后，通过蚀刻步骤去除多余的导电材料，得到精细线路。
[0003]而湿化学刻蚀工艺是一种常规的金属网格制备方法，但往往存在着刻蚀线路与设计线路不符的情况，具体为线路交叉节点处存在金属残留(即交叉点比线路粗)，线距/线宽比值越小，或者是节点处夹角越小，该现象越明显，让研发设计前期的模拟仿真工作失去意义，特别是天线、电磁屏蔽的模拟仿真，仿真数据与实测数据将相差甚远，影响工作的进展。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种改善刻蚀节点粗大的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种改善刻蚀节点粗大的方法，该改善方法包括以下步骤，
[0006]S1：设计：根据产品需求和规格，使用计算机辅助设计软件创建超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图；
[0007]S2：选材：选择超薄导电薄膜的基材；
[0008]S3：覆膜：在黄光氛围下，以热压方式在超薄导电薄膜的导电层面，覆上一层厚度均一的光刻胶；
[0009]S4：菲林制作：将超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图文件导入到专用的菲林制作软件中，进行菲林图形的生成；
[0010]S5：曝光：将光刻胶覆盖的超薄导电薄膜放置在曝光机内，以菲林掩膜为图案模板，主体线路设计线宽为a，在紫外光氛围下，使光刻胶发生交联反应；
[0011]S6：显影：用1
‑
1.2wt％酸溶液清洗未固化的光刻胶；
[0012]S7：水洗风干：用纯水洗去材料表面残留化学药品；
[0013]S8：检测：用二次元设备检测干光刻胶的图案，观察线路节点处是否全部接通，若没有，增强曝光能量或延长曝光时间，利用光的衍射现象，让打断点相连，此时干膜图案中，线路交叉处的宽度c应小于主体线路的宽度b；
[0014]S9：蚀刻：用碱性刻蚀液对上述材料进行选择性刻蚀形成图案；
[0015]S10：脱模：用1.6
‑
1.8wt％酸溶液洗去金属网格表层的光刻胶；
[0016]S11：再次水洗风干：用纯水洗去材料表面残留化学药品；
[0017]S12：再次检测：用二次元设备检测金属网格的图案，测量并计算线路节点处的宽度d与主体线线路宽度e比值小于1.20。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0019]本专利技术提供一种改善刻蚀节点粗大的方法，通过菲林掩模上制备图案通过设置打断点，增大曝光能量，通过光的衍射，让打断点相连，此时干膜图案中，线路相连处的线宽小于主体线宽，从而达到减少线路交叉节点处存在金属残留的效果。
附图说明
[0020]图1为本专利技术菲林图案设计的效果示意图。
[0021]图2为本专利技术显影后干膜图案的效果示意图。
[0022]图3为本专利技术刻蚀后金属网格图案的效果示意图。
具体实施方式
[0023]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1至图3，本专利技术提供一种技术方案：一种改善刻蚀节点粗大的方法，该改善方法包括以下步骤，
[0025]S1：设计：根据产品需求和规格，使用计算机辅助设计软件创建超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图；
[0026]S2：选材：选择超薄导电薄膜的基材；
[0027]S3：覆膜：在黄光氛围下，以热压方式在超薄导电薄膜的导电层面，覆上一层厚度均一的光刻胶；
[0028]S4：菲林制作：将超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图文件导入到专用的菲林制作软件中，进行菲林图形的生成；
[0029]S5：曝光：将光刻胶覆盖的超薄导电薄膜放置在曝光机内，以菲林掩膜为图案模板，主体线路设计线宽为a，在紫外光氛围下，使光刻胶发生交联反应；
[0030]S6：显影：用1
‑
1.2wt％酸溶液清洗未固化的光刻胶；
[0031]S7：水洗风干：用纯水洗去材料表面残留化学药品；
[0032]S8：检测：用二次元设备检测干光刻胶的图案，观察线路节点处是否全部接通，若没有，增强曝光能量或延长曝光时间，利用光的衍射现象，让打断点相连，此时干膜图案中，线路交叉处的宽度c应小于主体线路的宽度b，(注：b＞a)；
[0033]S9：蚀刻：用碱性刻蚀液对上述材料进行选择性刻蚀形成图案；
[0034]S10：脱模：用1.6
‑
1.8wt％酸溶液洗去金属网格表层的光刻胶；
[0035]S11：再次水洗风干：用纯水洗去材料表面残留化学药品；
[0036]S12：再次检测：用二次元设备检测金属网格的图案，测量并计算线路节点处的宽度d与主体线线路宽度e比值小于1.20(注：a＞e)。
[0037]本专利技术提供一种改善刻蚀节点粗大的方法，通过菲林掩模上制备图案通过设置打断点，增大曝光能量，通过光的衍射，让打断点相连，此时干膜图案中，线路相连处的线宽小于主体线宽，从而达到减少线路交叉节点处存在金属残留的效果。
[0038]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善刻蚀节点粗大的方法，其特征在于：该改善方法包括以下步骤，S1：设计：根据产品需求和规格，使用计算机辅助设计软件创建超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图；S2：选材：选择超薄导电薄膜的基材；S3：覆膜：在黄光氛围下，以热压方式在超薄导电薄膜的导电层面，覆上一层厚度均一的光刻胶；S4：菲林制作：将超薄导电薄膜金属网格的布局和连接图文件导入到专用的菲林制作软件中，进行菲林图形的生成；S5：曝光：将光刻胶覆盖的超薄导电薄膜放置在曝光机内，以菲林掩膜为图案模板，主体线路设计线宽为a，在紫外光氛围下，使光刻胶发生交联反应；S6：显影：用1
‑
1.2wt％酸溶液清洗未...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，李慧，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：