一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法技术

本发明专利技术提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第一腐蚀液由磷酸和过氧化氢配制而成；对经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片置于第二腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第二腐蚀液由盐酸和水配制而成；将经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行显微观察，确定经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片的表面腐蚀浅坑的数量和腐蚀浅坑的分布情况。的分布情况。的分布情况。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法


[0001]本专利技术涉及缺陷检测
，尤其涉及一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法。

技术介绍

[0002]砷化铟作为一种窄带隙III
‑
V族化合物半导体材料，其带隙在室温下为0.36eV，在红外光电子领域具有广泛应用。以砷化铟作为衬底可以生长InAsSb和InNAsSb等异质结材料，从而制备波长范围在2～14μm的红外发光器件。此外，由于砷化铟的晶格常数与Sb基三元和四元合金的晶格常数匹配良好，砷化铟可以作为中红外量子级联激光器和红外探测器等光电器件的衬底材料。这些红外器件在气体检测、医疗、国防和卫星通信等领域具有良好的应用前景。
[0003]为了保证外延层的质量，获得优异的器件性能，需要使用无损伤的砷化铟衬底材料，高质量衬底的制备与晶圆加工过程密切相关。而砷化铟晶片在化学机械抛光后会产生损伤残留，在晶片近表面区域形成一个亚表面损伤层。亚表面损伤层的表征对砷化铟晶片的抛光工艺的改进和实现高质量外延有较大影响，因此，关于评估砷化铟晶片的亚表面损伤的相关研究本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的所述抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，其中，所述第一腐蚀液由磷酸和过氧化氢配制而成；对所述经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片置于第二腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，其中，所述第二腐蚀液由盐酸和水配制而成；将所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行显微观察，确定所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片的表面腐蚀浅坑的数量和所述腐蚀浅坑的分布情况，其中，所述腐蚀浅坑的数量表征所述抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的程度，所述腐蚀浅坑的分布情况表征所述抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的分布情况。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片之后，还包括：对预处理后的抛光后砷化铟晶片进行称重，得到所述预处理后的抛光后砷化铟晶片的初始重量。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片之后，还包括：将所述经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对所述经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行称...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯银红，沈桂英，赵有文，杨俊，谢辉，刘京明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：