半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具有：半导体元件、导通部件以及连接部件。所述半导体元件具有形成有第一电极的背面、以及形成有第二电极和第三电极的主面。所述背面和所述主面在z方向上相互分离。根据输入到所述第三电极的驱动信号，对所述第一电极和所述第二电极之间进行导通截止控制。所述导通部件具有分别朝向与所述背面相同的方向的第一接合面以及第二接合面。所述第一接合面与所述第三电极接合。所述第二接合面配置为与所述连接部件接合且在所述z方向上观察时不与所述半导体元件重叠。察时不与所述半导体元件重叠。察时不与所述半导体元件重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了以往的半导体装置的一例。该文献所记载的半导体装置具有：半导体元件、芯片搭载部(基片)、金属夹、导线以及多个引线。在该半导体装置中，半导体元件是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。半导体元件具有：漏极电极、源极电极和栅极电极。半导体元件根据输入到栅极电极的驱动信号对漏极电极和源极电极之间进行导通截止(ON/OFF)控制。在半导体元件的表面形成源极电极和栅极电极，在背面形成漏极电极。漏极电极通过半导体元件与芯片搭载部接合从而与芯片搭载部导通。芯片搭载部与多个引线中的某一个一体地形成。源极电极经由金属夹与多个引线中的某一个导通。栅极电极经由导线与多个引线中的某一个导通。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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82384号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]在通过倒装芯片(flip
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chip)接合等将上述的以往半导体元件搭载于支承部件时，表面朝向半导体装置的下方。因此，栅极电极朝向半导体装置的下方，难以将导线直接接合于栅极电极。这样，在以往的半导体装置中，在进行布线方面还存在改善的余地。
[0008]鉴于上述情况，本公开的一个课题在于提供一种半导体装置，即使是某个电极(例如驱动信号的输入电极)朝向下方时，也能够容易地进行向该电极的布线。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本公开的半导体装置具有：第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，并根据输入到所述第三电极的第一驱动信号对所述第一电极和所述第二电极之间进行导通截止控制；第一导通部件，其与所述第三电极接合；第一连接部件，其与所述第一导通部件接合。所述第一半导体元件具有：第一主面以及第一背面，它们在所述第一半导体元件的厚度方向上分离。在所述第一主面形成有所述第二电极以及所述第三电极，在所述第一背面形成有所述第一电极。所述第一导通部件具有：第一接合面以及第二接合面，其分别在所述厚度方向上朝向与所述第一背面相同的方向，且相互分离；凹面，其以所述第一接合面以及所述第二接合面为基准在所述厚度方向上凹陷。所述第一接合面与所述第三电极接合，所述第二接合面与所述第一连接部件接合，且在所述厚度方向上观察时不与所述第一半导体元件重叠。
[0011]专利技术效果
[0012]根据上述结构，在半导体装置中，能够容易地对驱动信号的输入电极进行布线，其
中，驱动信号用于进行半导体元件的导通截止控制。
附图说明
[0013]图1是表示第一实施方式的半导体装置的立体图。
[0014]图2是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0015]图3是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0016]图4是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0017]图5是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0018]图6是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0019]图7是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0020]图8是表示第一实施方式的半导体装置的左侧视图。
[0021]图9是表示第一实施方式的半导体装置的右侧视图。
[0022]图10是表示第一实施方式的半导体装置的仰视图。
[0023]图11是沿着图2的XI
‑
XI线的剖视图。
[0024]图12是沿着图2的XII
‑
XII线的剖视图。
[0025]图13是沿着图2的XIII
‑
XIII线的剖视图。
[0026]图14是表示第一实施方式的半导体装置的布线部件的立体图。
[0027]图15是表示第二实施方式的半导体装置的剖视图。
[0028]图16是表示第三实施方式的半导体装置的剖视图。
[0029]图17是表示第四实施方式的半导体装置的剖视图。
[0030]图18是表示第五实施方式的半导体装置的俯视图。
[0031]图19是表示第五实施方式的半导体装置的俯视图。
[0032]图20是表示第六实施方式的半导体装置的俯视图。
[0033]图21是沿着图20的XXI
‑
XXI线的剖视图。
[0034]图22是表示变形例的半导体装置的俯视图。
具体实施方式
[0035]以下，参照附图对本公开的半导体装置的优选实施方式进行说明。以下，对相同或类似的要素标注相同的符号，适当省略重复的说明。
[0036]图1～图14表示第一实施方式的半导体装置A1。半导体装置A1包含：第一半导体元件1、第二半导体元件2、多个引线3、布线部件4、多个连接部件5以及密封部件6。在半导体装置A1中，多个引线3包含：第一引线31、第二引线32、第三引线33、第四引线34、第五引线35以及第六引线36，多个连接部件5包含：第一连接部件51、第二连接部件52、第三连接部件53以及第四连接部件54。
[0037]图1是表示半导体装置A1的立体图，用假想线(双点划线)表示密封部件6。图2是表示半导体装置A1的俯视图，用假想线表示密封部件6。图3是在图2的俯视图中进一步用假想线表示第二连接部件52的图。图4是在图3的俯视图中省略第二连接部件52，用假想线表示第一半导体元件1的图。图5是在图4的俯视图中省略第一半导体元件1，用假想线表示布线部件4的图。
[0038]图6是在图5的俯视图中省略布线部件4，用假想线表示第三连接部件53的图。图7是在图6的俯视图中省略第三连接部件53，用假想线表示第二半导体元件2的图。图8是表示半导体装置A1的左侧视图。图9是表示半导体装置A1的右侧视图。图10是表示半导体装置A1的仰视图。图11是沿着图2的XI
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XI线的剖视图。图12是沿着图2的XII
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XII线的剖视图。图13是沿着图2的XIII
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XIII线的剖视图。图14是表示布线部件4的立体图，是用假想线表示布线部件4的一部分(后述的树脂部件43)的图。
[0039]为了便于说明，适当参照相互正交的3个方向，即x方向、y方向、z方向。z方向例如与半导体装置A1的厚度方向对应。
[0040]第一半导体元件1和第二半导体元件2分别例如是MOSFET。也可以代替MOSFET，而是第一半导体元件1和第二半导体元件2分别是包含MISFET(Metal
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Insulator
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Semiconductor FET)、HEMT(High Electron Mobility Transistor)的场效应晶体管、或者IGBT这样的双极晶体管。第一半导体元件1和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，并根据输入到所述第三电极的第一驱动信号对所述第一电极和所述第二电极之间进行导通截止控制；第一导通部件，其与所述第三电极接合；以及第一连接部件，其与所述第一导通部件接合，所述第一半导体元件具有：第一主面以及第一背面，它们在所述第一半导体元件的厚度方向上分离，在所述第一主面形成有所述第二电极以及所述第三电极，在所述第一背面形成有所述第一电极，所述第一导通部件具有：第一接合面以及第二接合面，其分别在所述厚度方向上朝向与所述第一背面相同的方向，且相互分离；以及凹面，其以所述第一接合面以及所述第二接合面为基准在所述厚度方向上凹陷，所述第一接合面与所述第三电极接合，所述第二接合面与所述第一连接部件接合，且在所述厚度方向上观察时不与所述第一半导体元件重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具有：多个引线，其在所述厚度方向上配置于比所述第一半导体元件更朝向所述第一主面的方向，所述多个引线包含：第一引线，其与所述第一连接部件连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具有：第二连接部件，其与所述第一电极接合，所述多个引线包含：第二引线，其与所述第二连接部件接合，所述第一电极与所述第二引线经由所述第二连接部件导通。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具有：第二半导体元件，其在所述厚度方向上具有朝向与所述第一主面相同的方向的第二主面、以及朝向与所述第一背面相同的方向的第二背面，所述多个引线包含：第三引线，其在所述厚度方向上相对于所述第二半导体元件位于所述第一半导体元件的相反侧，且搭载有所述第二半导体元件。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体元件具有第四电极以及第五电极，所述第四电极形成于所述第二背面，所述第五电极形成于所述第二主面，所述第三引线与所述第五电极接合。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件与所述第二半导体元件在所述厚度方向上观察时重叠，所述第二半导体元件与所述第一主面对置。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第三电极在所述厚度方向上观察时与所述第二半导体元件重叠。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊势幸太，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：