采用导电聚合物转移的垂直结构LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提一种采用导电聚合物转移的垂直结构ＬＥＤ芯片及其制造方法，其是在蓝宝石衬底ＬＥＤ外延片上蒸镀ＩＴＯ透明导电层；在透明导电层上蒸镀Ａｌ或Ａｇ或Ｐｔ作为反射层；在反射层上涂敷高热导率的导电胶；通过导电胶将ＬＥＤ外延片键合到高热导率衬底上；采用电感耦合等离子体（ＩＣＰ）或反应离子刻蚀（ＲＩＥ）ｎ－ＧａＮ、有源层和ｐ－ＧａＮ；采用ＫＯＨ溶液将未掺杂的ＧａＮ层刻蚀掉，并对ｎ－ＧａＮ表面进行粗化；蒸镀ｎ面电极和ｐ面电极。上述方案提高了产品的散热效率及ＬＥＤ芯片的综合性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂直结构GaN基功率型发光二极管(LED)芯片 的制备方法，特别涉及一种采用高导热、导电聚合物将蓝宝石衬底 GaN基LED外延片转移到具有高热导率的材料上，制备上下电极结 构的LED芯片及其制备方法。
技术介绍
GaN基蓝光、蓝绿光发光二极管(LED)广泛应用在仪表指示灯、 大尺寸LED背光源、电子广告牌以及各种照明设备中。由于GaN晶 体结构、生长条件等方面的限制，生长GaN基LED外延层时，主要 选择蓝宝石作为衬底。由于蓝宝石的电导率和热导率差，导致GaN 基LED制作工艺复杂、散热差、寿命短，因此限制了高亮度LED的 应用。水平电极结构的GaN基LED芯片因为p电极档光，n面上有 源区被刻蚀掉，p电极制作复杂，因此很难进一步提高LED的发光 功率和效率。为了解决这些问题，美国Cree公司提出了采用SiC作 为衬底的上下电极结构的GaN基LED，通过n面出光，有效的解决 了散热和档光的问题，而且垂直电导有利于载流子的注入，提高载流 子的复合效率。但是SiC比蓝宝石衬底贵，而且加工也更加困难，因 此制约了其推广使用。采用键合技术和剥离技术相结合可以将GaN基L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用导电聚合物转移的垂直结构ＬＥＤ芯片，其特征在于：具体结构包括以下部分：　高热导率材料作为垂直结构ＬＥＤ芯片的支撑衬底；　在高热导率衬底上面是高热导率的导电聚合物；　导电聚合物上面是反射层，其材料为Ａｌ或Ａｇ或Ｐｔ； 　反射层上面为ＩＴＯ透明导电层；　ＬＥＤ外延层上面是ｎ型电极，该ｎ型电极逐层为Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，甘志银，王凯，汪沛，周圣军，金春晓，
申请(专利权)人：广东昭信光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]