吸附装置、吸附单元、吸附方法及程序制造方法及图纸

本发明专利技术的吸附装置包括：吸附头；移动控制部，使吸附头在吸附收容构件的凹部中收容的电子组件的第一位置、与相较于第一位置而与电子组件分离的第二位置之间移动；以及吸附控制部，在吸附头位于第一位置时，使吸附头吸附电子组件，且吸附头包括抵接部，所述抵接部在所述吸附头位于第一位置时，抵接于收容构件中的凹部开口的区域的外侧的第一面。通过此种吸附装置，在吸附电子组件时，可通过简易的控制抑制电子组件破损。制电子组件破损。制电子组件破损。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸附装置、吸附单元、吸附方法及程序


[0001]本专利技术涉及一种吸附装置、吸附单元、吸附方法及程序。

技术介绍

[0002]以往作为吸附半导体芯片的吸附装置，拾取工具广为人知。例如，专利文献1中公开有一种拾取工具，所述拾取工具在吸附半导体芯片的端面设置有多个凸部，通过减小与半导体芯片的接触面积，抑制静电的产生，而抑制半导体芯片因静电被破坏的情况。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利特开2020
‑
53457号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]然而，在以往的技术中在吸附半导体芯片时，存在因从拾取工具作用于半导体芯片的荷重导致半导体芯片破损的情况，因此存在需要对拾取工具进行复杂的荷重控制的课题。
[0008]此外，此种课题并不限于半导体芯片，在吸附电子组件的情形时大致共通。
[0009]本专利技术是为了解决此种问题而完成，提供一种在吸附电子组件时可通过简易的控制抑制电子组件破损的吸附装置、吸附单元、吸附方法及程序。
[0010]解决问题的技术手段
[0011]本专利技术的第一实施例中的吸附装置包括：吸附头；移动控制部，使吸附头于吸附收容构件的凹部收容中的电子组件的第一位置、与相较于第一位置而与电子组件分离的第二位置之间移动；以及吸附控制部，在吸附头位于第一位置时，使吸附头吸附电子组件，且吸附头包括抵接部，所述抵接部在所述吸附头位于第一位置时，抵接于收容构件中的凹部开口的区域的外侧的第一面。
[0012]另外，本专利技术的第二实施例中的吸附单元包括：吸附头；收容构件，包括收容电子组件的凹部；移动控制部，使吸附头在吸附收容构件的凹部中收容的电子组件的第一位置、与相较于第一位置而与电子组件分离的第二位置之间移动；以及吸附控制部，在吸附头位于第一位置时，使吸附头吸附电子组件，且吸附头包括抵接部，所述抵接部在所述吸附头位于第一位置时，抵接于收容构件中的凹部开口的区域的外侧的第一面。
[0013]另外，本专利技术的第三实施例中的吸附方法包括如下步骤：使吸附头向吸附收容构件的凹部中收容的电子组件的第一位置移动，使吸附头的抵接部抵接于收容构件中的凹部开口的区域的外侧的第一面；以及在吸附头位于第一位置时，使吸附头吸附电子组件。
[0014]另外，本专利技术的第四实施例中的程序使计算机执行如下处理：使吸附头向吸附收容构件的凹部中收容的电子组件的第一位置移动，使吸附头的抵接部抵接于收容构件中的凹部开口的区域的外侧的第一面；以及在吸附头位于第一位置时，使吸附头吸附电子组件。
[0015]专利技术的效果
[0016]根据本专利技术，在吸附电子组件时，可通过简易的控制抑制电子组件破损。
附图说明
[0017][图1]是示意性地表示本实施方式的吸附单元的要部的立体图。
[0018][图2]是示意性地表示本实施方式的吸附单元的要部的侧视图。
[0019][图3]是示意性地表示本实施方式的吸附单元中的载带与吸附头的位置关系的平面图。
[0020][图4]是吸附单元的系统结构图。
[0021][图5]是表示运算处理部的处理顺序的流程图。
[0022][图6]是表示本实施方式的吸附单元中的一系列信号处理的时序图。
[0023][图7]是表示本实施方式的吸附单元的动作的图。
[0024][图8]是示意性地表示其他实施方式的吸附单元中的载带与吸附头的位置关系的平面图。
具体实施方式
[0025]以下，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，但并不将专利申请的范围的专利技术限定于以下实施方式。另外，实施方式中所说明的结构未必全部作为解决课题的手段为必需。
[0026]如图1所示，吸附单元100利用拾取工具330吸附并拾取收容于载带310的作为电子组件的一例的半导体芯片320，并将半导体芯片320载置于基板并接着。载带310为收容构件的一例，拾取工具330为吸附装置的一例。载带310形成为薄板状，其上表面为沿着由X轴与Y轴所规定的面的平面。在载带310的上表面形成有多个凹部312。多个凹部312具有矩形形状的开口，沿着Y轴方向隔开间隔而形成。多个凹部312分别收容一个半导体芯片320。
[0027]拾取工具330例如包括保持部332、及吸附头334。保持部332保持吸附头334，通过移动机构336而可向平面方向移动。平面方向为沿着由X轴与Y轴所规定的平面的方向。
[0028]吸附头334形成为圆柱状。吸附头334可通过升降机构338而沿着高度方向移动。高度方向为与平面方向正交的Z轴方向。吸附头334通过吸附机构340吸附载带310的凹部312中收容的半导体芯片320。吸附机构340例如包括抽吸泵。吸附头334以吸附半导体芯片320的状态向上方移动，由此从载带310拾取半导体芯片320。
[0029]其后，若拾取工具330将半导体芯片320载置于基板并接着，则吸附单元100使载带310沿着Y轴方向移动至Y轴方向上邻接的凹部312与吸附头334在高度方向上相向的位置。然后，吸附单元100开始对收容于邻接的凹部312中的半导体芯片320进行吸附处理。
[0030]如图2及图3所示，吸附头334包括圆柱状的大径部334A、及设置于大径部334A的下方且外径小于大径部334A的圆柱状的小径部334B。在将大径部334A的外径设为L1，将小径部334B的外径设为L2，将载带310的凹部312的长边的长度设为L3，将载带310的凹部312的短边的长度设为L4时，满足L2＜L4＜L3＜L1的关系式。吸附头334的大径部334A的中心位置与载带310的凹部312的中心位置在俯视下重合。并且，在吸附头334到达第一位置的情形时，吸附头334的大径部334A的下端面334a抵接于载带310中凹部312开口的区域的外侧的
上表面310a。载带310的上表面310a为第一面的一例。吸附头334的大径部334A的下端面334a为抵接部的一例。吸附头334的大径部334A的下端面334a以包围凹部312的周围的状态抵接于载带310的上表面310a。在吸附头334形成有沿着高度方向贯通的多条空气流路334c。多条空气流路334c分别为第一端部连接于吸附机构340，第二端部在吸附头334的小径部334B的下端面334b形成开口。
[0031]其次，对吸附单元100的控制结构进行说明。
[0032]如图4所示，吸附单元100例如包括运算处理部10、存储部20、移动机构336、升降机构338、吸附机构340、编码器342、及输入输出设备344。运算处理部10为进行吸附单元100的控制与程序的执行处理的处理器(中央处理器(Central Processing Unit，CPU))。处理器可为特殊应用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)或图像处理器(Gr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种吸附装置，包括：吸附头；移动控制部，使所述吸附头在吸附收容构件的凹部中收容的电子组件的第一位置、与相较于所述第一位置而与所述电子组件分离的第二位置之间移动；以及吸附控制部，在所述吸附头位于所述第一位置时，使所述吸附头吸附所述电子组件，且所述吸附头包括抵接部，所述抵接部在所述吸附头位于所述第一位置时，抵接于所述收容构件中的所述凹部开口的区域的外侧的第一面。2.根据权利要求1所述的吸附装置，还包括探测部，所述探测部对所述抵接部抵接于所述收容构件的所述第一面进行探测，且所述吸附控制部以通过所述探测部探测到所述抵接部抵接于所述收容构件的所述第一面为条件，使所述吸附头吸附所述电子组件。3.根据权利要求1或2所述的吸附装置，其中在所述吸附头位于所述第一位置时，在所述吸附头与所述电子组件之间存在有间隙。4.根据权利要求1至3中任一项所述的吸附装置，其中所述抵接部在所述吸附头位于所述第一位置时，在所述凹部中的至少彼此相向的两侧抵接于所述收容构件的所述第一面。5.根据权利要求1至4中任一项所述的吸附装置，其中所述抵接部在所述吸附头位于所述第一位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：永口悠二，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：