一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端技术方案

技术编号:38027330 阅读:9 留言:0更新日期:2023-06-30 10:53
本发明专利技术属于存储器测试技术领域,公开了一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端,从外部接口将数据写入SRAM;逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM;逻辑复位,复位后逻辑自动从EEPROM将数据读出并写入SRAM;从芯片外部再次发送同样的数据,发送过程中逻辑自动从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比。本发明专利技术的嵌入式EEPROM的可测性设计方法,使用SRAM作为EEPROM的辅助存储空间,可以大大提高芯片对外接口的读写速度,并可以快速对EEPROM的读写功能进行测试,从而节省EEPROM的测试时间,解决了现有嵌入式EEPROM存在测试时间较长的问题。在测试时间较长的问题。在测试时间较长的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端


[0001]本专利技术属于存储器测试
,尤其涉及一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端。

技术介绍

[0002]目前,EEPROM作为一种非易失的存储器,广泛应用于单片机和对数据存储安全性及可靠性要求高的其他场合,如门禁考勤系统、测量和医疗仪表、非接触式智能卡、税控收款机、预付费电度表或复费率电度表、家电遥控器等。但是EEPROM是通过电子的跃迁实现写入和擦除操作,通常来说EEPROM要先擦除再写入,需要的时间较长,从EEPROM里将数据读出也通常需要几个时钟周期。由于电子跃迁所需的时间比较长,因此EEPROM写入和擦除时间较长,一般一个字节的写入和擦除时间为200μs~10ms,而整个器件的写入和擦除时间通常在1000ms以上,故现有嵌入式EEPROM存在测试时间较长的问题。
[0003]因此,亟需设计一种新的嵌入式EEPROM的可测性设计方法。
[0004]通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:由于EEPROM是通过电子跃迁实现写入和擦除操作,一般都需要先擦除,然后再写入,故现有嵌入式EEPROM存在测试时间较长的问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题,本专利技术提供了一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法、系统及终端。
[0006]本专利技术是这样实现的,一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法,嵌入式EEPROM的可测性设计方法包括:使用SRAM作为辅助存储空间,从芯片外部接口将数据全部写入SRAM,自动从SRAM将数据逐渐缓慢写进EEPROM,再次上电后逻辑将EEPROM中的数据自动读出并全部写入SRAM中,然后逻辑直接从SRAM将数据快速读出与芯片外部输入的数据进行对比,进而实现对EEPROM的读写功能的测试。
[0007]进一步,嵌入式EEPROM的可测性设计方法包括以下步骤:
[0008]步骤一,从外部接口将数据写入SRAM;测试数据使用需要存储在EEPROM中的数据,该数据通过I2C接口串行输入,经过控制逻辑将串行数据进行解析,然后转换成SRAM接口的逻辑将数据全部写入SARM中。
[0009]步骤二,逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM;当外部数据全部写入SRAM后,启动SRAM的读操作,并将SRAM中读出的数据依次写入EEPROM中,该步骤中需要将SRAM读出的数据进行逻辑处理来匹配EEPROM的写操作时序,该过程的实现均由数字逻辑自动控制实现。
[0010]步骤三,逻辑复位,复位后逻辑自动从EEPROM将数据读出并写入SRAM;逻辑复位可通过2种方式中的任意一种实现:(1)按键复位;(2)断电后再次上电;当芯片复位后控制逻辑启动EEPROM的读操作,将EEPROM中的全部数据依次读出,每次读出的数据立即写入SRAM中,直到EEPROM中的全部数据写入SRAM中;该过程也是数字逻辑自动控制实现。
[0011]步骤四,从芯片外部再次发送同样的数据,发送过程中逻辑自动从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比。从芯片外部将同样的数据通过I2C接口串行输入,在该过程中逻辑从SRAM中依次读出对应地址的数据,将SRAM读出的数据与外部输入的对应数据进行对比。
[0012]进一步,步骤四中的逻辑从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比包括:如果对比所有数据均相同,测试结果信号test_ok变高,表明测试成功;否则测试结果信号test_ok不变,一直输出为低电平,表明测试失败。
[0013]进一步,嵌入式EEPROM的可测性设计方法还包括:SRAM读写一个word的时间为一个时钟周期。
[0014]本专利技术的另一目的在于提供一种应用所述嵌入式EEPROM的可测性设计方法的嵌入式EEPROM的可测性设计系统,嵌入式EEPROM的可测性设计系统包括:
[0015]数据写入模块,用于从外部接口将数据写入SRAM,同时逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM;
[0016]逻辑复位模块,用于进行逻辑复位,复位后逻辑自动从EEPROM将数据读出并写入SRAM;
[0017]数据对比模块,用于从芯片外部再次发送同样的数据,发送过程中逻辑自动从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比。
[0018]本专利技术的另一目的在于提供一种计算机设备,计算机设备包括存储器和处理器,存储器存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时,使得处理器执行所述嵌入式EEPROM的可测性设计方法的步骤。
[0019]本专利技术的另一目的在于提供一种计算机可读存储介质,存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时,使得处理器执行所述嵌入式EEPROM的可测性设计方法的步骤。
[0020]本专利技术的另一目的在于提供一种EEPROM读写周期测试系统,EEPROM读写周期测试系统执行所述嵌入式EEPROM的可测性设计方法的步骤。
[0021]本专利技术的另一目的在于提供一种EEPROM读写功能测试系统,EEPROM读写功能测试系统执行所述嵌入式EEPROM的可测性设计方法的步骤。
[0022]本专利技术的另一目的在于提供一种信息数据处理终端,信息数据处理终端用于实现所述嵌入式EEPROM的可测性设计系统。
[0023]结合上述的技术方案和解决的技术问题,本专利技术所要保护的技术方案所具备的优点及积极效果为:
[0024]第一,针对上述现有技术存在的技术问题以及解决该问题的难度,紧密结合本专利技术的所要保护的技术方案以及研发过程中结果和数据等,详细、深刻地分析本专利技术技术方案如何解决的技术问题,解决问题之后带来的一些具备创造性的技术效果。具体描述如下:
[0025]针对嵌入式EEPROM测试时间较长的问题,本专利技术提出改进的可测性设计方法,使用SRAM作为辅助存储空间,可以提高芯片对外接口读写速度,并可以快速对EEPROM的读写功能进行测试。本专利技术从芯片外部接口将数据全部写入SRAM,自动从SRAM将数据逐渐缓慢写进EEPROM;然后直接从SRAM把数据快速读出;测试EEPROM的步骤:(1)从外部接口将数据写入SRAM;(2)逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM;(3)逻辑复位,复位后逻辑会自动从EEPROM把数据读出并写入SRAM;(4)从芯片外部再次发送同样的数据,发送过程中逻辑自动
从SRAM中读出数据并与芯片外部发送来的数据进行自动对比,如果对比所有数据均相同,测试结果信号test_ok变高,表明测试成功;否则测试结果信号test_ok不变,一直输出为低电平,表明测试失败。由于EEPROM的读写没有SRAM这么快,通常来说写EEPROM要先擦除,然后写入,需要的时间较长,从EEPROM里把数据读出也通常需要几个时钟周期;而对SRAM的读写就非常快,一般读写一个word一个时钟周期就可以完成。
[0026]第二,把技术方案看做一个整体或者从产品的角度,本专利技术所要保护的技术方案具备的技术本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式EEPROM的可测性设计方法,其特征在于,嵌入式EEPROM的可测性设计方法包括:使用SRAM作为辅助存储空间,从芯片外部接口将数据全部写入SRAM,自动从SRAM将数据逐渐缓慢写进EEPROM,再次上电后逻辑将EEPROM中的数据自动读出并全部写入SRAM中,然后逻辑直接从SRAM将数据快速读出与芯片外部输入的数据进行对比,进而实现对EEPROM的读写功能的测试。2.如权利要求1所述的嵌入式EEPROM的可测性设计方法,其特征在于,嵌入式EEPROM的可测性设计方法包括以下步骤:步骤一,从外部接口将数据写入SRAM;测试数据使用需要存储在EEPROM中的数据,数据通过I2C接口串行输入,经过控制逻辑将串行数据进行解析,然后转换成SRAM接口的逻辑将数据全部写入SARM中;步骤二,逻辑自动将SRAM的数据写入EEPROM;当外部数据全部写入SRAM后,启动SRAM的读操作,并将SRAM中读出的数据依次写入EEPROM中,该步骤中需要将SRAM读出的数据进行逻辑处理来匹配EEPROM的写操作时序,改过程的实现均由数字逻辑自动控制实现;步骤三,逻辑复位,复位后逻辑自动从EEPROM将数据读出并写入SRAM;逻辑复位可通过2种方式中的任意一种实现:(1)按键复位;(2)断电后再次上电;当芯片复位后控制逻辑启动EEPROM的读操作,将EEPROM中的全部数据依次读出,每次读出的数据立即写入SRAM中,直到EEPROM中的全部数据写入SRAM中;该过程也是数字逻辑自动控制实现;步骤四,从芯片外部再次发送同样的数据,发送过程中逻辑自动从SRAM中读出数据并与芯片外部发送的数据进行自动对比;从芯片外部将同样的数据通过I2C接口串行输入,在该过程中逻辑从SRAM中依次读出对应地址的数据,将SRAM读出的数据与外部输入的对应数据进行对比。3.如权利要求2所述的嵌入式EEPROM的可测性设计方法,其特征在于,步骤四中...

【专利技术属性】
技术研发人员:周清军曹敬馨
申请(专利权)人:西安航空学院
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1