用于传输线导体与焊料球之间的过渡的改进结构制造技术

公开了用于传输线导体与焊料球之间的过渡的改进结构。描述了一种设备。该设备包括具有传输线的半导体芯片封装衬底。该传输线具有用于传导沿该传输线传播的信号的电流的导体。该导体具有随着该导体接近垂直过渡区域而扩大的宽度。该垂直过渡区域位于该导体与焊料球之间。该过渡区域具有位于该衬底的同一层处的多个导电过孔。所述多个导电过孔电连接至该导体。所述多个导电过孔围绕该焊料球的中心轴径向布置。向布置。向布置。

【技术实现步骤摘要】
用于传输线导体与焊料球之间的过渡的改进结构


[0001]本专利技术总体上涉及电子技术，并且更具体地，涉及用于传输线导体与焊料球之间的过渡的改进结构。

技术介绍

[0002]半导体芯片制造技术的不断进步已经允许以可承受价格将大规模信息处理系统集成到日常商用产品(例如，汽车)中。将大规模信息处理系统集成到商用产品中可能带来封装困难，因为此类系统所依赖的高频信号可能易于受到损坏或者发生畸变。
附图说明
[0003]可以从下文结合以下附图所做的详细描述获得对本专利技术的更好理解，在附图中：
[0004]图1示出了传输线；
[0005]图2示出了耦合至天线的RF电路管芯；
[0006]图3a和图3b描绘了位于传输线和焊料球之间的现有技术结构过渡；
[0007]图4a、图4b、图4c和图4d描绘了在传输线和焊料球之间过渡的改进结构。
[0008]图5a和图5b将改进的过渡结构的实施例的插入损耗和返回损耗与其他过渡结构进行了比较。
[0009]图6示出了RADAR系统。/>[0010]图7本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：包括传输线的半导体芯片封装衬底，所述传输线具有用于传导沿所述传输线传播的信号的电流的导体，所述导体具有随着所述导体接近垂直过渡区域而扩大的宽度，所述垂直过渡区域位于所述导体与焊料球之间，所述过渡区域包括位于所述衬底的同一层处的多个导电过孔，所述多个导电过孔电连接至所述导体，所述多个导电过孔围绕所述焊料球的中心轴径向布置。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述信号具有处于76
‑
81GHz的频带内的频率。3.根据权利要求1所述的设备，还包括电连接至所述导体的第二组的多个导电过孔，所述第二组的多个导电过孔围绕所述焊料球的所述中心轴径向布置。4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第二组的多个导电过孔与所述多个导电过孔相比以更大半径围绕所述焊料球的所述中心轴径向布置。5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第二组的多个导电过孔位于所述多个导电过孔与所述焊料球之间。6.根据权利要求2或3所述的设备，其中，RF电路管芯被安装至所述半导体芯片封装衬底的第一表面，并且耦合至所述导体。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述焊料球位于所述半导体芯片封装衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。8.一种电子系统，包括：包括安装至封装衬底的RF电路管芯的半导体芯片封装，所述封装衬底包括传输线，所述传输线具有用于传导沿所述传输线传播的信号的电流的导体，所述导体具有随着所述导体接近垂直过渡区域而扩大的宽度，所述垂直过渡区域位于所述导体与焊料球之间，所述过渡区域包括位于所述衬底的同一层处的多个导电过孔，所述多个导电过孔电连接至所述导体，所述多个导电过孔围绕所述焊料球的中心轴径向布置；以及耦合至所述焊料球的印刷电路板，天线位于所述印刷电路板上，所述天线耦合至所述焊料球。9.根据权利要求8所述的电子系统，其中，所述信号具有处于76
‑
81GHz的频带内的频率。10.根据权利要求8所述的电子系统，还包括电...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：