半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具有：导电部件、半导体元件和密封树脂。所述导电部件具有朝向厚度方向的主面。所述半导体元件包含元件主体和与所述元件主体相连且与所述主面接合的多个电极。所述密封树脂覆盖所述半导体元件。所述密封树脂具有：顶面，其在所述厚度方向上朝向与所述主面相同的一侧；开口，其沿所述厚度方向贯通所述顶面。所述元件主体从所述开口露出。所述元件主体从所述开口露出。所述元件主体从所述开口露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置，其具有进行了倒装芯片(Flip Chip)安装的半导体元件。

技术介绍

[0002]以往，半导体元件通过倒装安装与导电部件(引线框等)接合而成的半导体装置广为人知。在专利文献1中公开了这样的半导体装置的一例。
[0003]在该半导体装置中，半导体元件(在专利文献1中为半导体芯片)的多个电极通过接合层(在专利文献1中为导体凸块)与导电部件(在专利文献1中为引出布线)接合。半导体元件的多个电极与导电部件对置。
[0004]在使用该半导体装置时，从半导体元件发出的热经由多个电极和导电部件而被释放到外部。在半导体元件是MOSFET等开关元件时，需要将从该半导体元件发出的热更迅速地释放到外部。因此，希望实现提高该半导体装置的散热性。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2018
‑
85522号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]本公开鉴于上述情况，其一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：导电部件，其具有朝向厚度方向的主面；半导体元件，其包含元件主体和与所述元件主体相连且与所述主面接合的多个电极；以及密封树脂，其覆盖所述半导体元件，所述密封树脂具有：顶面，其在所述厚度方向上朝向与所述主面相同的一侧；以及开口，其沿所述厚度方向贯通所述顶面，所述元件主体从所述开口露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述元件主体具有：基板，其由半导体材料构成；以及半导体层，其在所述厚度方向上比所述基板更靠近所述主面且与所述多个电极导通，所述基板具有：基面，其在所述厚度方向上朝向与所述主面相同的一侧，所述基面从所述开口露出。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述基面与所述顶面共面。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述基面在所述厚度方向上位于比所述顶面更远离所述主面的位置。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述基面在所述厚度方向上位于比所述顶面更靠近所述主面的位置。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述顶面包含规定所述开口的开口缘，在沿着所述厚度方向观察时，所述开口缘位于从所述基面向外侧离开的位置。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述密封树脂具有：开口面，其与所述开口缘相连且规定所述开口，所述开口面与所述基面的周缘相接。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述开口面包含：第一区域，其在所述厚度方向上位于所述顶面与所述主面之间，且与所述顶面平行；以及第二区域，其与所述第一区域和所述开口缘相连，所述第一区域与所述基面的所述周缘相接。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二区域相对于所述第一区域以及所述顶面双方倾斜。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在沿着所述厚度方向观察时，所述开口的面积随着从所述顶面朝向所述主面而逐渐变小。11.根据权利要求2～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置还具有：导电性的接合层，其将所述主面与所述多个电...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森谦伍，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：