本发明专利技术涉及热固性树脂组合物,其特征在于,其含有:(A)热固性树脂、(B)激光直接成型添加剂、(C)无机填充材料及(D)偶联剂,所述(D)偶联剂含有选自由三嗪官能团型、异氰酸酯官能团型、异氰脲酸官能团型、苯并三唑官能团型、酸酐官能团型、氮杂硅环戊烷官能团型、咪唑官能团型及含不饱和基团硅烷偶联剂组成的组中的一种以上,所述(D)偶联剂为除巯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂及环氧硅烷偶联剂以外的偶联剂。由此,可提供一种可提供形成在固化物的表面的镀层不会从固化物上剥离且不会产生裂纹的固化物的热固性树脂组合物。化物的热固性树脂组合物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热固性树脂组合物及半导体装置
[0001]本专利技术涉及可通过非电镀等在固化物表面、固化物剖面及开口部制作覆盖层或布线层的热固性树脂组合物、其固化物及具有该固化物的半导体装置。
技术介绍
[0002]在搭载于便携式电话、智能手机等通信设备的半导体装置中,为了防止因设备发出的电磁噪音而导致的误操作,需要具有电磁波屏蔽性。作为使半导体装置具有电磁波屏蔽性的方法,具有使用金属板的方法、通过溅射在半导体表面蒸镀金属层的方法等。然而,利用金属板而具有电磁波屏蔽性的方法不适于通信设备的薄型化
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小型化,此外,通过溅射蒸镀金属层的方法在其过程中需要形成高真空,无法连续生产,生产率差。
[0003]此外,随着可穿戴设备等的发展,半导体装置也要求进一步的薄型化。因此,通过在半导体密封材料的表面形成基于镀覆的金属布线图案,可直接在半导体装置的基础上制作新的半导体装置。
[0004]此外,除了布线以外,也可通过在半导体密封材料的表面形成天线尝试面向通信设备的半导体装置的小型化。
[0005]作为这种开发的一环,近年来,在晶圆级密封的芯片尺寸封装中,开发了通过在芯片的外侧设置重布线层而能够用高密度的布线将多个芯片之间进行连接的技术。然而,目前的重布线中所采用的方式,主流为铜电解电镀等,涂布抗蚀剂、形成图案、清洗、溅射、除去抗蚀剂、电解电镀的工序非常繁杂。此外,在利用电解电镀的方法中,还要求树脂或芯片的耐化学试剂性。
[0006]其中,作为选择性构建镀覆图案的方法,开发有一种激光直接成型(以下记载为“LDS”)的技术(专利文献1)。在该技术中,通过将LDS添加剂添加于热塑性树脂并利用激光使其固化物活性化,能够仅在进行了照射的部分形成镀层(金属层)。该技术具有能够在不使用粘合层或抗蚀剂的情况下在固化物表面、剖面或开口部形成金属层的特征(专利文献2、3)。
[0007]此外,还开发有不仅向热塑性树脂中添加LDS添加剂而且还向热固性树脂中添加LDS添加剂且镀覆特性优异的LDS用热固性树脂组合物、或使用了该组合物的三维成型电路部件(专利文献4)。然而,产生了镀覆后金属布线从固化物上剥离的问题、在固化物上产生裂纹的问题。认为其原因在于,作为镀覆金属析出的核的LDS添加剂与热固性树脂的结合较弱,以及析出后的镀覆金属与热固性树脂的结合较弱。若结合不充分,则在利用激光照射而进行的LDS活性化工序、及碱性非电镀工序中,会在LDS添加剂与热固性树脂的界面、及析出后的镀层金属与热固性树脂的界面产生微米级间隙,镀覆的金属层容易从固化物上剥离。此外,认为这是因为在对固化物施加机械应力或热应力时,会以间隙为起点而产生裂纹。现有技术文献
专利文献
[0008]专利文献1:日本特表2004
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534408号公报专利文献2:日本特开2015
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108123号公报专利文献3:国际公开第2015/033295号专利文献4:日本专利第6265308号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题
[0009]本专利技术是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种热固性树脂组合物,形成在该组合物的固化物的表面、剖面或开口部的镀层不会从固化物上剥离,且固化物上不会产生裂纹。解决技术问题的技术手段
[0010]为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种热固性树脂组合物,其特征在于,所述热固性树脂组合物含有:(A)热固性树脂、(B)激光直接成型添加剂、(C)无机填充材料、及(D)偶联剂,所述(D)偶联剂含有选自由三嗪官能团型硅烷偶联剂、异氰酸酯官能团型硅烷偶联剂、异氰脲酸官能团型硅烷偶联剂、苯并三唑官能团型硅烷偶联剂、酸酐官能团型硅烷偶联剂、氮杂硅环戊烷官能团型硅烷偶联剂、咪唑官能团型硅烷偶联剂及含不饱和基团硅烷偶联剂组成的组中的一种以上,且所述(D)偶联剂为除巯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂及环氧硅烷偶联剂以外的偶联剂。
[0011]若为本专利技术的热固性树脂组合物,则形成在其固化物的表面、剖面或开口部的镀层不会从固化物上剥离,且不会在固化物上产生裂纹。
[0012]此外,在本专利技术中,优选所述(B)成分为由下述式(1)的平均组成式所表示且具有尖晶石结构的金属氧化物,AB2O4(1)式中,A为选自铁、铜、镍、钴、锌、镁及锰中的1种或2种以上的金属元素,B为铁、铬或钨,其中,A及B不同时为铁。
[0013]若这样的(B)成分以LDS添加剂的形式添加于热塑性树脂组合物,则通过利用激光等使其固化物活性化,能够仅在进行了照射的部分高效地形成镀层(金属层)。
[0014]此外,在本专利技术中,优选所述(B)成分中的6价铬的含量小于100ppm。
[0015]若为含有这样的(B)成分的热固性树脂组合物,则能够应对欧盟(EU)发布的关于电子电气设备中的特定有害物质的使用限制的指令(RoHS指令),能够易于回收废电气
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电子设备。
[0016]此外,在本专利技术中,优选所述(B)成分为未进行表面处理的激光直接成型添加剂。
[0017]这样的(B)成分由于未进行表面处理,因此不易引起镀层的剥离、机械强度的降低。
[0018]此外,在本专利技术中,优选所述(A)热固性树脂含有选自(i)环氧树脂、(ii)在1分子中含有1个以上的二聚酸骨架、1个以上的碳原子数为6以上的直链亚烷基及2个以上的环状酰亚胺基的环状酰亚胺化合物、(iii)在1分子中具有2个以上氰氧基的氰酸酯化合物、(iv)下述式(2)表示的环戊二烯化合物和/或其低聚物中的一种或二种以上,[化学式1]式(2)中,R表示选自碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为2~6的烯基及碳原子数为6~10的芳基中的基团,n为1~4的整数,x1及x2独立地为0、1或2,其中,R表示烷基或芳基时,x1为1或2,且1≤x1+x2≤4。
[0019]这样的树脂适合作为(A)成分使用。
[0020]此外,本专利技术提供一种固化物,其特征在于,通过上述热固性树脂组合物固化而成。
[0021]对于这样的固化物,形成在其表面、剖面或开口部的镀层不会从固化物上剥离,且不会在固化物上产生裂纹,因此作为需要电磁波屏蔽性的通信设备或具备天线或布线层的半导体装置等的密封材料是有用的。
[0022]此外,本专利技术提供一种半导体装置,其特征在于,具有上述固化物。
[0023]本专利技术的半导体装置由于具有上述固化物,因此在天线或布线层等金属层的密合性优异的同时,可连续生产,生产率优异。
[0024]此时,优选所述固化物的一部分或全部进行了镀覆处理。
[0025]若为这样的半导体装置,则能够在不使用粘合层或抗蚀剂等的情况下选择性地且高效地在固化物的表面、剖面或开口部形成金属层,同时不会产生镀覆的剥离、不会在固化物上产生裂纹,因此可靠性高。
[0026]另外,本专利技术提供一种半导体装置的制造方法,其为上述半导体装置的制造方法,其特征在于,其包含对所述固化物的一部分或全部进行镀覆处理的工序,所述镀覆处本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种热固性树脂组合物,其特征在于,所述热固性树脂组合物含有:(A)热固性树脂、(B)激光直接成型添加剂、(C)无机填充材料、及(D)偶联剂,所述(D)偶联剂含有选自由三嗪官能团型硅烷偶联剂、异氰酸酯官能团型硅烷偶联剂、异氰脲酸官能团型硅烷偶联剂、苯并三唑官能团型硅烷偶联剂、酸酐官能团型硅烷偶联剂、氮杂硅环戊烷官能团型硅烷偶联剂、咪唑官能团型硅烷偶联剂及含不饱和基团硅烷偶联剂组成的组中的一种以上,且所述(D)偶联剂为除巯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂及环氧硅烷偶联剂以外的偶联剂。2.根据权利要求1所述的热固性树脂组合物,其特征在于,所述(B)成分为由下述式(1)的平均组成式所表示且具有尖晶石结构的金属氧化物,AB2O4(1)式中,A为选自铁、铜、镍、钴、锌、镁及锰中的1种或2种以上的金属元素,B为铁、铬或钨,其中,A及B不同时为铁。3.根据权利要求1或2所述的热固性树脂组合物,其特征在于,所述(B)成分中的6价铬的含量小于100ppm。4.根据权利要求1~3中任一项所述的热固性树脂组合物,其特征在于,所述(B)成分为未进行表面处理的激光直接成型添加剂。5.根据权利要求1~4中任一项所述的热固性树脂组合物,其特征在于,所述(A)热固性树脂含有环氧树脂。6.根据权利要求1~5中任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:长田将一,川村训史,堀篭洋希,萩原健司,横田龙平,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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