下导板画素结构制造技术

本发明专利技术提供一种下导板画素结构，其将改良薄膜导电层的结构，将薄膜导电层两侧设计成具有凸起部与凹陷部的锯齿形状，当薄膜导电层与位于第二金属层的资料线发生对位误差过大时，此两侧凸起部与凹陷部的结构设计，将可使薄膜导电层与数据线之间形成的边际电容不对称的比例大幅降低，如此将可有效改善薄膜晶体管液晶显示面板发生画面不均匀的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种面板结构，特别是关于一种可用于薄膜晶体管液晶显示面板的下导板画素结构。
技术介绍
—般薄膜晶体管液晶显示面板(TFT LCD)的下导板画素结构包括一第一金属层用 以作为闸极电极，于第一金属层上形成非晶硅层，且相互间透过绝缘层以相区隔；一第二金 属层将形成于非晶硅层上，此第二金属层将具有多汲极电极、多源极电极及多条资料线；之 后再于第二金属层上形成多个薄膜导电层，且第二金属层与薄膜导电层之间相以绝缘层加 以区隔。 由于第二金属层与薄膜导电层之间具有绝缘层，因此，薄膜导电层与第二金属层 之数据现之间将产生边际电容效应，底下将针对此效应加以说明 图1所示为薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图，并请同时参阅图2所示 的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图，如图所示，多个薄膜导电32设置于一绝缘 层34上，此薄膜导电层32两侧为平整面， 一资料线30设置于两相邻薄膜导电层32之中间 位置，如此，数据线30与两相邻薄膜导电层32形成的边际电容36将为相对称。当数据线 30与相邻薄膜导电层32之间具有对位误差，且误差过大时，将如图3所示，数据线30对位 将较接近右边之薄膜导电层32，将使得此数据线30因与右边的薄膜导电层32相距较近，进 而使彼此间形成的边际电容36较大，反之与左边薄膜导电层32间相距较远，进而使彼此间 形成的边际电容36较小，如此因对位误差过大所造成边际电容36不对称的现象，将使薄膜 晶体管液晶显示面板容易于特定画面，产生画面灰暗不均现象。 有鉴于此，本专利技术是针对上述该些困扰，将改良薄膜导电层32的结构，以使当数 据线30与薄膜导电层32发生过大对位误差时，能有效降低数据线30与相邻膜导电层32 之间边际电容36不对称的比例。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种下导板画素结构，其将大幅降低第二金属层的数据线与相邻薄膜导电层之间因对位误差所造成的边际电容比例不相对称的现象。 本专利技术的另一目的在提供一种下导板画素结构，其将大幅改善薄膜晶体管液晶显示面板在特定画面产生的画面不均现象，以提升显示面板之画面显示质量。 为达到上述之目的，本专利技术提出的画素薄膜晶体管结构是以一第一金属层作为闸极电极，一非晶硅层位于第一金属层上，于此非晶硅层上将形成一第二金属层，此第二金属层将具有多个汲极电极、多个源极电极与多条资料线；于此第二金属层上再形成多个薄膜导电层，此薄膜导电层两侧具有多个凸起部与凹陷部，呈现规则锯齿形状，并且第二金属层的每一数据线位于相邻两薄膜导电层之间，通过将薄膜导电层两侧为规则锯齿形状的结构设计，将可降低薄膜导电层与资料线发生对位误差过大所导致边际电容不对称的现象。附图说明 下面结合附图和实施例对专利技术进一步说明； 图1为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图； 图2为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图； 图3为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置对位误差过大的结构示意图； 图4为本专利技术的结构剖视图； 图5为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图； 图6为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图； 图7为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置对位误差过大的结构示意图； 图8为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例的结构立体图； 图9为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例的结构示意图； 图10为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例对位误差过大的结构示意图。具体实施方式本专利技术提出一种下导板画素结构，其薄膜导电层两侧将为规则锯齿形状，且于两 相邻的薄膜导电层之间将对应第二金属层设置数据线，当薄膜导电层与资料线发生对位误 差过大时，薄膜导电层两侧锯齿形状的设计，将可有效降低数据线与相邻膜导电层之间边 际电容值不对称的比例，底下则将以较佳实施例来详述本专利技术的技术特征。 图4所示为本专利技术的结构剖视图，如图所示，一第一金属层10是做为闸极电极，于 第一金属层IO上将形成一非晶硅层12 ;—第二金属层14位于非晶硅层12上，此第二金属 层14将具有多个汲极电极(图中未示)、多个源极电极(图中未示)及多条为直线对称设 计的数据线(图中未示)；于此第二金属层14上将再形成材质为铟锡氧化物的多个薄膜导 电层16，此薄膜导电层16将做为薄膜晶体管液晶显示面板下导板电极层；此外，第一金属 层IO及非晶硅层12之间与第二金属层14及薄膜导电层16之间分别利用材质为氧化硅、 氧化钽或氮化硅的一绝缘层18加以隔绝。 底下将针对薄膜导电层16结构以及其与直线对称设计的数据线的相对位置的结 构加以说明。 如图5所示，薄膜导电层16两侧分别具有多个凸起部22与多个凹陷部24，凹陷部 24位于两相邻的凸起部22之间，凸起部22与凹陷部24排列呈现规则锯齿形状；并且于两 相邻的薄膜导电层16之间对应于第二金属层14设置一资料线20 ;此外，每一薄膜导电层 16的凸起部22可与相邻的薄膜导电层16的凸起部22相对，使两相邻薄膜导电层16呈现 相对称对应。 由于第二金属层14及薄膜导电层16之间具有绝缘层18，因此，数据线20与相邻 两薄膜导电层16之间将有边际电容26的形成，如图6所示，请同时参阅图5的结构立体图， 数据线20设置于相邻两薄膜导电层16之间，且数据线20与薄膜导电层16的凸起部22相 距较近，进而所形成的边寄电容26将较大；反观，资料线20与薄膜导电层16的凹陷部24 相距较远，进而所产生的边寄电容26则将较小；此外，数据线20与薄膜导电层16之间的边际电容26总值为数据线20与薄膜导电层16的凸起部22及凹陷部24所形成的多个大小 的边寄电容26并联而成；且由于数据线20位于相邻两薄膜导电层16的中央位置，使得数 据线20与左侧薄膜导电层16形成的边际电容26总值将等同为资料线20与右侧薄膜导电 层16形成之边际电容26总值。 当发生薄膜导电层16与资料线20发生对位误差过大情况时，如图7所示，数据线 20较为靠近右侧的薄膜导电层16，因此，数据线20与右侧薄膜导电层16的凸起部22及凹 陷部24分别形成的边际电容26，将较大于数据线20与左侧薄膜导电层16的凸起部22及 凹陷部24分别形成的边际电容26 ;然而，由于数据线20与薄膜导电层16的凸起部22所 产生的边寄电容26与数据线20与薄膜导电层16的凹陷部24所产生的边寄电容26将相 并联，透过此并联的效果，使得数据线20与右侧薄膜导电层16形成的边际电容26总值，将 可接近于资料线20与左侧薄膜导电层16形成的边际电容26总值，进而有效降低数据线20 与相邻两薄膜导电层16之间发生边际电容26比例不对称的情况。 承上所述，相邻薄膜导电层16之间为相对称对应的实施例。另外，相邻薄膜导电 层16之间可为相互补对应，如图8与图9所示为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位置另 一实施例的结构立体图与结构示意图，每一薄膜导电层16的凸起部22与相邻的薄膜导电 层16的凹陷部24相对，呈现为相互补对应。图10为本专利技术的薄膜导电层与数据线相对位 置另一实施例对位误差过大的结构示意图，如图所示，数据线20与薄膜导电层16的凸起部 22所产生的边寄电容26与数据线20与薄膜导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下导板画素结构，其特征在于：包括，　　　　一第一金属层；　　　　一非晶硅层，位于该第一金属层上；　　　　一第二金属层，位于该非晶硅层上，且具有多条数据线；以及　　　　多个薄膜导电层，设置该第二金属层上，每一该薄膜导电层之两侧分别具有多个凸起部与多个凹陷部，且两相邻之该薄膜导电层之间对应设置有该数据线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟明达，邱昌明，
申请(专利权)人：深超光电深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]