画素薄膜晶体管结构制造技术

本发明专利技术提供一种画素薄膜晶体管结构，其以第一金属层做为闸极电极，且闸极电极具有向外延展的一电极部，一第二金属层具有一汲极电极分别与闸极电极及电极部透过非晶硅层部份相重迭，并将形成第一寄生电容与第二寄生电容，且第一寄生电容与第二寄生电容的总电容值为定值，如此将能抵抗因黄光制程机台振动所造成的偏移，进而减少液晶显示面板局发生部区域色彩不均与闪烁等现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种晶体管结构，特别是关于一种可应用于液晶显示面板中下导板设计的画素薄膜晶体管结构。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显示面板(TFT LCD)的制造中，区分为数组(Array)制程与彩 色光阻(Color Filter)制程，其中于数组制程中制作出用以传递讯号的电压控制组件薄膜 晶体管(Thin Film Transistors,TFT)，以形成所须的电极基板。如图1所示为现有技术的 薄膜晶体管的结构示意图，如图所示，一第一金属层10系做为闸极电极12，此第一金属层 10上将形成一非晶硅层14与第一金属层10部份相重迭；一第二金属层16系位于第一金 属层10之上，以形成一汲极电极18、一源极电极20与一资料线22，此汲极电极18为T字 型状，且将延伸至非晶硅层14上与其部份相重迭；源极电极20位于此非晶硅层14上，呈现 n字状与汲极电极18对应，并且与纵向横跨于第一金属层IO之上的数据线相连接，此外， 一画素电极层24位于汲极电极18之上，并且透过一开洞26与汲极电极18相导通。 当于进行数组制程中的黄光制程时，将会因黄光机台于曝光时所产生些微震动， 使曝光发生偏移现象，如图2所示，汲极电极18的位置相较于图1将发生纵向往下偏移使 得第二金属层16形成的汲极电极18与非晶硅层14重迭部份的面积改变，如此将造成汲极 电极18与闸极电极12之间的寄生电容(Cgd)有所变化，进而导致画素电极电位因寄生电容 (Cgd)存在所下降的电位(Feed Through Voltage)将随之而改变，这将使得液晶显示面板 的局部区域因此而发生色彩不均(Mura)与闪烁(Flicker)等现象。 有鉴于此，本专利技术是针对上述问题，以提出一种画素薄膜晶体管结构，以抵抗黄光 机台曝光时所发生的偏差现象。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是在提供一种画素薄膜晶体管结构，其具有抵抗黄光制程时机台振动所造成的偏移，使得薄膜晶体管的汲极与闸极之间的寄生电容(Cgd)得以固定，以使得加在画素电极上的电压为正负相对称，使直流位准的电压降误差降低到最小值。 本专利技术的又一目的是在提供一种画素薄膜晶体管结构，其将减少液晶显示面板局部区域的色彩不均(Mura)与闪烁(Flicker)现象发生，使得液晶显示面板的质量得以大幅提升。 为达到上述目的，本专利技术提出画素薄膜晶体管结构于第一金属层形成闸极电极，此闸极电极具有向外延伸的电极部；一绝缘层形成于第一金属层上，一非晶硅层形成于绝缘层上并分别设置在闸极电极与电极部的上方；在此非晶硅层上将再形成一第二金属层，此第二金属层具有一汲极电极与一源极电极，源极电极位于闸极电极上方的非晶硅层上；汲极电极分别与闸极电极上方及电极部上方的非晶硅层部分相重迭，并透过非晶硅层、绝缘层与闸极电极及电极部之间形成一第一寄生电容与一第二寄生电容，且形成之第一寄生电容与第二寄生电容的电容量总和为定值。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1为现有技术的薄膜晶体管的结构示意图； 图2为现有技术的薄膜晶体管发生曝光偏移的结构示意图； 图3(a)为本专利技术的结构剖视图； 图3(b)为本专利技术的eA-A'区间的结构截面剖视图； 图4为本专利技术的第一实施例的布局结构示意图； 图5为本专利技术第一实施例发生曝光偏移的示意图； 图6为本专利技术的第二实施例的布局结构示意图； 图7为本专利技术第二实施例发生曝光偏移的示意图； 图8为本专利技术的第三实施例的布局结构示意图； 图9为本专利技术第三实施例发生曝光偏移的示意图。具体实施方式本专利技术提出一种画素薄膜晶体管结构其第一金属层的闸极电极系具有向外延伸的电极部，第二金属层的汲极电极系透过非晶硅层分别与闸极电极及电极部部份相重迭，以使黄光制程造成偏移时，让汲极电极与闸极电极之间的寄生电容(Cgd)的数值得以固定，底下则将以较佳实施例来详述本专利技术的技术特征。 如图4所示，并请同时参阅图3(a)所示的结构剖视图与图3 (b)所示之A-A'区间的结构截面剖视图， 一第一金属层30作为一闸极电极32，此闸极电极32具有向外拓展延伸的一电极部34，此电极部34为L字型状。 一绝缘层36位于此一第一金属层30上。于此绝缘层36上形成一非晶硅层38，且分别设置于闸极电极32与电极部34上。 一第二金属层40形成于非晶硅层38上，且具有一汲极电极42与一源极电极44，此源极电极44位于闸极电极32上的非晶硅层38上，且为开口向上的n字型状；此汲极电极42的一端为纵向延伸至闸极电极32上的非晶硅层38上与源极电极44的中心位置相对应，并透过非晶硅层38与闸极电极32部份相重迭，以形成一第一寄生电容(图中未示)；而此汲极电极42的另一端为横向延伸至电极部34上的非晶硅层38上，并透过非晶硅层38与电极部34部份相重迭，以形成一第二寄生电容(图中未示)；此汲极电极42与闸极电极32部份相重迭的长度等同于此汲极电极42与电极部34部份相重迭的长度。此外，在此第二金属层40之上将再形成绝缘层36，且于绝缘层36相对第二金属层40的汲极电极42所在位置开设一孔洞48，其后于绝缘层36上形成一画素电极层46，画素电极层46将透过此孔洞48与第二金属层40的汲极电极42相导通。另外，亦有一扫描线(图中未示)及一资料线50分别与第一金属层30之闸极电极32及第二金属层40之源极电极42相连接。 当黄光制程因机台震动发生曝光偏移现象时，如图5所示，汲极电极42的位置相较于图4将纵向往上偏移，使汲极电极42透过非晶硅层38与闸极电极32部份相重迭的面积縮减，而同时汲极电极42透过非晶硅层38与电极部34部份相重迭的面积将增加，将使得第一电容的电容值减少，反之第二电容的电容值增加，如此的此消彼涨的补偿关系，将使第一寄生电容与第二寄生电容的电容量总和为定值，不将因偏移改变，进而使汲极电极42与闸极电极32之间的寄生电容(Cgd)得以维持固定。 承上所述为汲极电极42分别纵向与横向延伸至闸极电极32及电极部34之上，且为发生纵向偏移的第一实施例。另外，闸极电极32、电极部34、汲极电极42与源极44分别所呈现的形状与设置位置是可改变。如图6所示为第二实施例，如图所示，第一金属层30的闸极电极32是向左延伸电极部34，汲极电极42两端分别横向延伸至闸极电极32及电极部34上之非晶硅层38上，且与呈现n字形开口向右之源极电极44相对应。图7所示为本专利技术第二实施例发生偏移的示意图，如图所示，汲极电极42横向往左偏移，使汲极电极42与电极部34通过非晶硅层38部份相重迭面积增加，与闸极电极32通过非晶硅层38部份相重迭面积减少，而寄生电容(Cgd)总值则相对固定。 第三实施例如图8所示，汲极电极42 —端延伸至闸极电极32上的非晶硅层38上，且末端为n字型状，另一端透过非晶硅层38与电极部34部份相重迭，源极电极44为直条状与汲极电极42末端之n字型状的中心点对应。图9为本专利技术第三实施例发生横向偏移的示意图，如图所示，汲极电极42横向偏移，此汲极电极42非n字型状的部份藉由非晶硅层38与闸极电极32相重迭的面积将縮减，重迭面积縮减的部份由与电极层34重迭面积增加的部份补足。 经由上述各实施例说明可知本专利技术为将第一金属层30之闸极电极32向外拓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素薄膜晶体管结构，其特征在于：包括，　　　　一第一金属层，以形成一闸极电极，并该闸极电极向外延伸一电极部；　　　　一绝缘层，位于该第一金属层上；　　　　一非晶硅层，位于该绝缘层上，且分别设置于该闸极电极上方与该电极部上方；以及一第二金属层，设置于该非晶硅层上，以形成一汲极电极与一源极电极，该源极电极位于该闸极电极上方的该非晶硅层上，该汲极电极分别延伸至该闸极电极上方及该电极部上方的该非晶硅层上，并且透过该非晶硅层分别与该闸极电极及该电极部部份相重迭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智忠，
申请(专利权)人：深超光电深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]