Yb-Sn共掺杂钛酸铋基铁电薄膜及其制备方法技术

Yb

【技术实现步骤摘要】
Yb
‑
Sn共掺杂钛酸铋基铁电薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及铁电存储和功能薄膜制备
，具体是Yb
‑
Sn共掺杂钛酸铋铁电薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]铁电随机读写存储器具有非挥发性、低功率消耗、高读写速度、高密度存储、抗辐射特点，是最具发展潜力的存储器之一，在计算机、航空航天和通讯电子等领域具有广泛应用前景。铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为纳米至微米级的薄膜，因其铁电极化反转电压低、与半导体集成电路工艺兼容性好等优点，成为人们关注热点。在铁电薄膜中，锆钛酸铅(Pb(Zr,Ti)O3)薄膜具有较大的铁电剩余极化值和较低的反转电压，目前已经获得商业化应用，然而一方面其在与金属电极构成的器件中抗疲劳性能较差，并且含有害金属元素Pb，因此在很大程度上限制了其应用范围。为了专利技术无铅、环保的铁电薄膜，抗疲劳性能优越的钽酸铋锶(SrBi2Ta2O9)被成功研制出来，但其缺点是铁电剩余极化值低，且制备温度高，不易与现存硅集成电路(CMOS或GaAs电路)兼容。《Nature》杂志曾报道一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.Yb
‑
Sn共掺杂的钛酸铋基铁电薄膜，其特征在于，其分子式为Bi4‑
x
Yb
x
Ti3‑
y
Sn
y
O
12
，其中0＜x≤1，0＜y≤0.15。2.权利要求1所述的Yb
‑
Sn共掺杂的钛酸铋基铁电薄膜的制备方法，该方法为化学溶液沉积法，其特征在于，具体制备步骤如下：(1)溶胶的配制：根据分子式Bi4‑
x
Yb
x
Ti3‑
y
Sn
y
O
12
，按摩尔比为五水合硝酸铋(Bi(NO3)3·
5H2O):五水硝酸镱(Yb(NO3)3·
5H2O):钛酸正四丁酯(C
16
H
36
O4Ti):硝酸锡(Sn(NO3)4)＝4
‑
x:x:3
‑
y:y称取各原料组分，将称量得到的五水合硝酸铋和五水硝酸镱加入溶剂柠檬酸中，柠檬酸的加入量与配制的溶胶体积近似相等，搅拌并加热至40～60℃，保温20～40min后，降至室温；然后加入上述称量得到的钛酸正四丁酯；再加入EDTA，EDTA加入量为钛酸正四丁酯摩尔数的0.5～1倍，室温搅拌30～60min，即得到Bi4‑
x
Yb
x
Ti3‑
y
Sn
y
O
12
溶胶；该溶胶经...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明振，农永萍，林成旭，王莉莉，
申请(专利权)人：广西华锡集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：