一种钛酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钛酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料在CBT陶瓷的A位掺杂铈离子、B位掺杂镱离子和钽离子，同时外掺Nb2O5进行改性；其化学计量式为CaCe

【技术实现步骤摘要】
一种钛酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及压电陶瓷
，具体涉及一种钛酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]汽车、航天航空、能源等行业对于高温压电加速度传感器有着迫切需求。高温压电器件的核心元件为压电材料，材料性能优劣决定了器件的品质，因此针对高温压电材料的研究就显得至关重要。
[0003]压电材料包含压电单晶与陶瓷材料，目前锆钛酸铅，即PZT基陶瓷经数十年的发展，压电常数虽取得长足进步，但居里温度T
c
≤400℃，导致其使用温度需低于300℃；铌酸锂(LiNbO3)、Sr2Nb2O7、La2Ti2O7、硅酸镓镧(La3Ga5SiO
14
)、硼酸氧钙钇(YCOB)等单晶材料具极高居里点(T
c
＞1000℃)和高温电阻率，但压电常数低、技术开发难度大、制备成本高，难以做到工业化大规模应用。
[0004]铋层状结构陶瓷具有较高居里温度，如钛酸铋钙CaBi4Ti4O
15
(CBT)体系陶瓷具备高居里温度(780℃)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钛酸铋钙基压电陶瓷材料，其特征在于，在CBT陶瓷的A位掺杂铈离子、B位掺杂镱离子和钽离子，同时外掺Nb2O5进行改性；其化学计量式为CaCe
x
Bi4‑
x
Ti4‑
y
(Yb
1/2
Ta
1/2
)
y
O
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+z mol％Nb2O5，其中，0＜x≤0.1，0＜y≤0.1，0＜z≤4。2.一种如权利要求1所述的钛酸铋钙基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、按照化学计量称取各种原料混合球磨成浆料，浆料干燥，预烧结，得预烧结粉料；步骤2、将预烧结粉料二次球磨后，烘干，加入粘合剂进行研磨造粒，过筛，压制成型，得薄圆坯；步骤3、将薄圆坯排胶，烧结，得烧结陶瓷片；步骤4、将烧结陶瓷片两面抛光并印刷上电极，再烧结电极，置于硅油中施加电压进行极化，得到钛酸铋钙基压电陶瓷材料。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述原料包括碳酸钙CaCO3、氧化铋Bi2O3、氧化钛Bi2O3、氧化铈CeO2、氧化镱Yb2O3、五氧化二钽Ta2O5和五氧化二铌Nb2O5。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：余洋，姜旭宇，柯银鸿，王海圣，翁新全，许静玲，刘瑞林，
申请(专利权)人：厦门乃尔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：