晶圆支撑装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种改善边缘对流的晶圆支撑装置，包括：一支撑盘，具有一顶面及一底面。所述支撑盘的顶面具有一承载面及一非承载面，其中所述非承载面位于所述承载面的外侧，且所述非承载面至所述底面之间形成有多个通孔，所述多个通孔环绕所述承载面，用于将气体引导至所述支撑盘的下方。此外，本发明专利技术还提供了一种半导体工艺设备。导体工艺设备。导体工艺设备。

【技术实现步骤摘要】
晶圆支撑装置及半导体工艺设备


[0001]本专利技术关于一种晶圆支撑装置，特别是一种位于半导体工艺腔体中的晶圆支撑装置。

技术介绍

[0002]在等离子化学气相沉积(PECVD)、原子沉积(ALD)、等离子体蚀刻及物理气相沉积(PVD)等半导体制造工艺中，对于反应腔中的等离子体均匀性具有严格要求。如本领域所熟知的，用于执行这些等离子工艺的反应腔含有上电极及下电极的配置，且通常会希望将上电极和下电极的面积尽可能的最大化，以获得较为理想的等离子均匀性。然而，腔体中的其他配置(如喷淋组件和抽气组件)会限制这些电极的尺寸。
[0003]在一种腔体的配置中，抽气组件是位于腔体内壁上且围绕着晶圆支撑装置的周围(如抽气环)，甚至抽气组件可具有侧壁气流控制装置，用于控制晶圆支撑装置或晶圆边缘的气流，如此配置有利于获得对称性较佳的排气。不过，这种配置的问题在于，侧壁气流控制的抽气组件和具有下电极的晶圆支撑装置之间会存在某种程度上的尺寸公差，其容易导致气流不均匀和不稳定，进一步衍伸出弧放电(arcing)和微粒堆积等不利于工艺的物理现象。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆支撑装置，包括：一支撑盘，具有一顶面及一底面，其特征在于：所述支撑盘的顶面具有一承载面及一非承载面，其中所述非承载面位于该承载面的外侧，且所述非承载面至该底面之间形成有多个通孔，所述多个通孔环绕该承载面，用于将气体引导至所述支撑盘的下方。2.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述支撑盘为陶瓷且埋设有一电极板，所述电极板涵盖该承载面。3.根据权利要求2所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述电极板涵盖该承载面及该非承载面的部分。4.根据权利要求2或3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述电极板至该支撑盘的顶面的距离为1mm至3mm。5.根据权利要求2或3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述电极板为一编织网，且该编织网的尺寸介于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张赛谦，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：