一种低热预算和低阻GaN基HEMT及太阳能聚焦退火系统与制备技术方案

本发明专利技术公开了一种低热预算和低阻GaN基HEMT及太阳能聚焦退火系统与制备。低热预算和低阻GaN基HEMT的组成包括衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。太阳能聚焦退火系统的组成包括密封系统、聚焦系统、温度监控系统、遮光板、晶圆放置平台。本发明专利技术通过太阳能聚焦退火系统制备出低热预算、低阻的欧姆接触电极，所制备的GaN基HEMT具有低电阻、高直流输出特性，且其制作难度低，生产效率高，产品良率高，节能环保。节能环保。节能环保。

【技术实现步骤摘要】
一种低热预算和低阻GaN基HEMT及太阳能聚焦退火系统与制备


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种低热预算和低阻GaN基HEMT及其太阳能聚焦退火与制备。

技术介绍

[0002]第三代半导体GaN材料具有髙击穿场强、高电子饱和速度、宽禁带宽度等优点，基于AlGaN/GaN异质结具有高电子迁移率，高密度的2DEG，可以用于制备高开关速度、高功率、低损耗的GaN基功率器件。
[0003]在制备器件的过程中，由于AlGaN势垒层与欧姆接触金属之间存在着较高的势垒高度，导致欧姆接触金属与AlGaN之间存在着较大的电阻。
[0004]传统的GaN基功率器件主要通过采用850℃快速热退火，n
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GaN重生长，离子注入技术等方法来实现低阻的欧姆接触，然而这些方法还存在诸多问题，传统的快速退火技术存在着金属表面粗糙和外延材料高温热损伤等问题n
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GaN重生长技术工艺复杂；离子注入价格昂贵，难以应用于商业化生产。
[0005]针对这种情况，学术与产业界提出了一系列改进方案，这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能聚焦退火系统，其特征在于包括：密封系统、聚焦系统、温度监控系统、遮光板、晶圆放置平台；所述聚焦系统、遮光板、晶圆放置平台位于密封系统内；所述聚焦系统位于遮光板上方；所述遮光板位于晶圆放置平台上方；所述温度监控系统位于聚焦系统内。2.一种低热预算和低阻GaN基HEMT，其特征在于包括：衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极；所述衬底、第一AlN插入层、GaN掺碳缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层和AlGaN势垒层依次层叠设置；所述漏金属电极和源金属电极设置在步进式AlGaN势垒层远离第二AlN插入层的那一面；所述栅金属电极与AlGaN势垒层接触。3.根据权利要求2所述低热预算和低阻GaN基HEMT，其特征在于：所述第一AlN插入层的厚度为0.1μm～1μm；所述GaN掺碳缓冲层的厚度为1μm～3μm；所述GaN沟道层的厚度为1μm～3μm；所述第二AlN插入层的厚度为1nm～2nm；所述AlGaN势垒层的厚度为5nm～50nm。4.根据权利要求2所述低热预算和低阻GaN基HEMT，其特征在于：所述衬底为自蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底中的一种。5.根据权利要求2所述低热预算和低阻GaN基HEMT，其特征在于：所述AlGaN势垒层中铝的质量百分含量为10％
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40％。6.根据权利要求2所述低热预算和低阻GaN基HEMT，其特征在于：所述漏金属电极和源金属电极均是由Ti、Al、Ni和Au四层金属层组成。7.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，吴能滔，邢志恒，罗玲，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：