阳离子神经毒素制造技术

本发明专利技术涉及阳离子神经毒素。具体而言，本发明专利技术提供了包含至少一个氨基酸修饰的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少0.2个pI单位，并且其中所述的至少一个氨基酸修饰不位于梭菌毒素的结合结构域(H

【技术实现步骤摘要】
阳离子神经毒素
[0001]本申请为2015年1月9日提交的专利技术名称为“阳离子神经毒素”的PCT申请PCT/GB2015/050043的分案申请，该PCT申请进入中国国家阶段日期为2017年6月30日，申请号为201580071947.4。


[0002]本专利技术涉及包含至少一个氨基酸修饰的工程化的梭菌毒素，以及这样的工程化的梭菌毒素在医学和治疗中的用途。

技术介绍

[0003]梭菌属(Clostridia)中的细菌产生高度强大的并且特异性的蛋白毒素，它们能够毒害它们被递送之处的神经元和其它细胞。这样的梭菌毒素的实例包括由破伤风梭菌(C.tetani)(TeNT)和肉毒梭菌(C.botulinum)(BoNT)血清型A
‑
G产生的神经毒素以及由巴氏梭菌(C.baratii)和丁酸梭菌(C.butyricum)产生的那些神经毒素。
[0004]在梭菌毒素中有一些是已知最强大的毒素。例如，肉毒梭菌神经毒素对于小鼠的半数致死剂量(LD
50
)值范围为0.5至5ng/kg，这取决于血清型。破伤风梭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.包含至少一个氨基酸修饰的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少0.2个pI单位，并且其中所述的至少一个氨基酸修饰不位于梭菌毒素的结合结构域(H
C
结构域)。2.权利要求1的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰位于梭菌毒素的易位结构域(H
N
结构域)。3.权利要求1的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰位于梭菌毒素的轻链。4.权利要求3的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰不向梭菌毒素的轻链引入E3连接酶识别基序。5.权利要求1
‑
4中任一项的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少0.5个pI单位。6.权利要求1
‑
4中任一项的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少1个pI单位。7.权利要求1
‑
4中任一项的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少2个pI单位。8.权利要求1
‑
4中任一项的工程化的梭菌毒素，其中所述的至少一个氨基酸修饰把工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值，该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高2至5个pI单位。9.前述权利要求中任一项的工程化的梭菌毒素，其中工程化的梭菌毒素具有至少6.5的pI。10.前述权利要求中任一项的工程化的梭菌毒素，其中工程化的梭菌毒素具有6.5至9.5的pI。11.前述权利要求中任一项的工程化的梭菌毒素，其中工程化的梭菌毒素具有6.5至7.5的pI。12.前述权利要求中的任一项的工程化的梭菌毒素，其中至少一个氨基酸修饰选自：氨基酸取代、氨基酸插入和氨基酸缺失。13.权利要求12的工程化的梭菌毒素，其中至少一种氨基酸取代选自:酸性氨基酸残基被碱性氨基酸残基取代、酸性氨基酸残基被不带电荷的氨基酸残基取代和不带电荷的氨基酸残基被碱性氨基酸残基取代。14.前述权利要求中的任一项的工程化的梭菌毒素，其中工程化的梭菌毒素包含1至90个氨基酸修饰。15.前述权利要求中的任一项的工程化的梭菌毒素，其中工程化的梭菌毒素包含至少3个氨基酸修饰。16.前述权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：益普生生物创新有限公司，
类型：发明
国别省市：