一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开了一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：在铜基石墨烯的石墨烯一侧沉积一层氧化物薄膜，获得氧化物薄膜/石墨烯/铜；S2：铜面朝下置于刻蚀剂中，对铜面进行刻蚀，获得氧化物薄膜/石墨烯；S3：用沉积有电极的衬底，将氧化物薄膜/石墨烯捞出，使氧化物薄膜/石墨烯平整的贴合在衬底上，获得氧化物薄膜/石墨烯/衬底；S4：用氧化物去除剂浸泡去除氧化物薄膜，获得石墨烯/衬底；本发明专利技术充分利用氧化物薄膜作为石墨烯转移的载体，避免使用聚合物作为石墨烯转移的载体，从而引起聚合物残留。从而引起聚合物残留。从而引起聚合物残留。

【技术实现步骤摘要】
一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法


[0001]本专利技术涉及石墨烯转移
，尤其涉及一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法。

技术介绍

[0002]对于在铜等金属上生长的石墨烯而言，其中最为重要的一步是将石墨烯与金属基底分离，这一步骤对转移所得石墨烯薄膜的质量有较大的影响。根据金属基底的去除方法，可分为刻蚀转移和免刻蚀转移；刻蚀转移方法，是通过刻蚀液与金属基底发生化学反应，使其以离子形态存在于刻蚀液中，从而将石墨烯留在目标基底或者支撑层上；免刻蚀转移方法是通过调整石墨烯与目标基底和石墨烯与生长基底之间的力，之后通过机械剥离或者电化学鼓泡法将石墨烯分离。
[0003]CVD石墨烯的转移，按转移工艺可分为间接转移和直接转移；间接转移法多以有机高聚物薄膜PMMA作为支撑层，首先将石墨烯从生长基底转移到支撑层上，之后再将石墨烯与目标基底贴合，通过机械剥离或有机溶液溶解等方法去除支撑层，便可完成石墨烯的转移；直接转移法首先使生长基底上的石墨烯与目标基底粘在一起，然后对目标基底或者生长基底进行预处理,增大石墨烯与目标基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在铜基石墨烯的石墨烯一侧沉积一层氧化物薄膜，获得氧化物薄膜/石墨烯/铜；S2：铜面朝下置于刻蚀剂中，对铜面进行刻蚀，获得氧化物薄膜/石墨烯；S3：用沉积有电极的衬底，将氧化物薄膜/石墨烯捞出，使氧化物薄膜/石墨烯平整的贴合在衬底上，获得氧化物薄膜/石墨烯/衬底；S4：用氧化物去除剂浸泡去除氧化物薄膜，获得石墨烯/衬底。2.根据权利要求1所述的一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法，其特征在于：所述氧化物薄膜材料为氧化铝或氧化铪或氧化硅或氧化锆。3.根据权利要求1所述的一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汪洋，
申请(专利权)人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：