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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属加热棒领域,具体涉及一种具有绝缘外接线的加热棒。
技术介绍
1、气相沉积法制备石墨烯已经是一个很成熟的工艺,目前对于此工艺的条件优化大多集中在仅对于生长条件进行优化。
2、然而对于石墨烯的生长来说如果生长基底表面粗糙不平存在各种缺陷那么这些缺陷会在生长过程中带入石墨烯的结构中,因此即便在适宜的条件下生长出的石墨烯质量也会欠佳。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本专利技术提出了一种高质量石墨烯制备方法,包括:
2、在正式生长前在700-1000℃的温度下对铜箔进行0.5-5h的退火预处理;
3、以预处理的铜箔为基底以碳源气体在800-1000℃的条件下吸附于铜箔上,在氢气的辅助下经过60-300s的生长时间制备石墨烯薄膜;
4、将石墨烯转移至目标基底进行表征测试。从生长基底和生长条件两个方面对石墨烯的生长进行调控,可从根本上解决石墨烯生长质量不佳的现状。
5、优选的,碳源气体包括:乙炔,甲烷或乙烯。
6、优选的,氢气与碳源气体的比例倍数为10:1-40:1。
7、优选的,通过物理打磨的方式对铜箔表面进行预处理。
8、优选的,采用金刚石锉刀、砂纸、角磨机或者千叶轮进行铜箔表面预处理。
9、优选的,通过化学抛光的方式对铜箔表面进行预处理。
10、优选的,通过电化学抛光或者化学机械抛光。
11、优选的,电化学抛光的方式使用的电解液采用乙
12、优选的,机械化学抛光的方式使用的抛光液采用多晶金刚石抛光液,氧化硅抛光液,氧化铈抛光液,氧化铝或者碳化硅抛光液中的一种或多种混合。
13、本专利技术具有如下优点:
14、1.从生长基底和生长条件两个方面对石墨烯的生长进行调控,可从根本上解决石墨烯生长质量不佳的现状。
15、2.以质量最佳的预处理后的铜箔为生长基底对石墨烯的生长条件包括温度时间气体比例进行调节优化,并通过表征手段确定最佳的生长条件。
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1.一种高质量石墨烯制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述碳源气体包括:乙炔,甲烷或乙烯。
3.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述氢气与碳源气体的比例倍数为10:1-40:1。
4.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,通过物理打磨的方式对铜箔表面进行预处理。
5.根据权利要求4所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,采用金刚石锉刀、砂纸、角磨机或者千叶轮进行铜箔表面预处理。
6.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,通过化学抛光的方式对铜箔表面进行预处理。
7.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,通过电化学抛光或者化学机械抛光。
8.根据权利要求7所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述电化学抛光的方式使用的电解液采用乙酸,磷酸,硫酸,铬酸,抗坏血酸,乙烯硫脲,丙三醇等其中的一种或多种混合。
9.根据权利要求7所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述
...【技术特征摘要】
1.一种高质量石墨烯制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述碳源气体包括:乙炔,甲烷或乙烯。
3.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,所述氢气与碳源气体的比例倍数为10:1-40:1。
4.根据权利要求1所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,通过物理打磨的方式对铜箔表面进行预处理。
5.根据权利要求4所述的高质量石墨烯制备方法,其特征在于,采用金刚石锉刀、砂纸、角磨机或者千叶轮进行铜箔表面预处理。
6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑玉琳,
申请(专利权)人:苏州微光电子融合技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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