一种半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底具有第一焊垫；转接板，位于所述衬底上，所述转接板的底表面覆盖所述第一焊垫；其中，所述转接板包括第二焊垫和连接结构；所述第二焊垫位于所述转接板除底表面以外的任意表面上；所述连接结构的一端与所述第一焊垫连接，所述连接结构的另一端与所述第二焊垫连接。结构的另一端与所述第二焊垫连接。结构的另一端与所述第二焊垫连接。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体结构，包括衬底以及位于所述衬底上的一个或多个芯片，所述衬底的表面设置有焊垫，所述芯片通过键合线与所述衬底表面的焊垫电连接。
[0003]然而，随着半导体结构朝着小尺寸、高集成度的方向发展，位于衬底表面的焊垫的排布密度越来越大，相邻的焊垫以及相邻的键合线之间容易发生短路，影响半导体结构的可靠性。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构，包括：
[0005]衬底，所述衬底具有第一焊垫；
[0006]转接板，位于所述衬底上，所述转接板的底表面覆盖所述第一焊垫；其中，所述转接板包括第二焊垫和连接结构；所述第二焊垫位于所述转接板除底表面以外的任意表面上；所述连接结构的一端与所述第一焊垫连接，所述连接结构的另一端与所述第二焊垫连接。
[0007]在一些实施例中，所述转接板还包括：密封层，所述密封层的底部覆盖所述第一焊垫，所述第二焊垫位于所述密封层的侧表面。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一焊垫；转接板，位于所述衬底上，所述转接板的底表面覆盖所述第一焊垫；其中，所述转接板包括第二焊垫和连接结构；所述第二焊垫位于所述转接板除底表面以外的任意表面上；所述连接结构的一端与所述第一焊垫连接，所述连接结构的另一端与所述第二焊垫连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述转接板还包括：密封层，所述密封层的底部覆盖所述第一焊垫，所述第二焊垫位于所述密封层的侧表面。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构位于所述密封层内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二焊垫包括高度不同的多个第二子焊垫组，每个所述第二子焊垫组包括多个沿第一方向排列分布的第二子焊垫。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一焊垫包括一个或者多个第一子焊垫组，所述第一子焊垫组包括多个沿第一方向排列分布的第一子焊垫。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子焊垫组中沿第一方向上相邻的两个所述第一子焊垫之间的距离小于所述第二子焊垫组中沿第一方向上相邻的两个所述第二子焊垫之间的距离。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构包括多个子连接结构；其中，所述子连接结构具有不同的高度。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构包括多个沿第一方向排列分布的子连接结构；其中，相邻的两个所述子连接结构具有不同的高度。9.根据权利要求7或8所述的半导体结构，其特征在于，所述子连接结构包括沿不同方向延伸且彼此连接的第一连接子部和第二连接子部；所述第一连接子部与所述第一焊垫连接，所述第二连接子部与所述第二焊垫连接。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接子部的延伸方向与所述衬底垂直，所述第二连接子部的延伸方向与所述衬底平行。11.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：设置于所述衬底上的一个或者多个芯片，所述芯片的表面具有焊盘，所述焊盘通过键合线与所述第二子焊垫组电连接。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述多个芯片中包括相互堆叠的两个芯片，多个所述第二子焊垫组中包括高度不同的两个第二子焊垫组；其中，所述两个芯片中位于上方的芯片与所述两个第二子焊垫组位于上方的第二子焊垫组电连接，所述两个芯片中位于下方的芯片与所述两个第二子焊垫组位于下方的第二子焊垫组电连接。13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小璇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：