用于无源组件与裸片关键距离减少的封装结构制造技术

公开了一种封装及其制造方法。封装包括：衬底，其具有包括数目为N的金属化层的第一区域和包括数目为M的金属化层的第二区域，其中M小于N；位于衬底的第一表面上的第二区域内的无源组件；以及位于衬底的第二表面上的第二区域内的裸片，衬底的第二表面与衬底的第一表面相对，裸片通过第二区域内的数目为M的金属化层中的至少一个金属化层电耦合到无源组件。层中的至少一个金属化层电耦合到无源组件。层中的至少一个金属化层电耦合到无源组件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于无源组件与裸片关键距离减少的封装结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2020年10月27日提交的、题目为“PACKAGE STRUCTURE FOR PASSIVE COMPONENT TO DIE CRITICAL DISTANCE REDUCTION”的美国非临时申请号17/081340的权益，该申请被转让给本申请的受让人，并且通过引用以其整体明确并入本文。


[0003]本公开总体涉及封装设备，并且更具体地但不排他地涉及用于无源组件与裸片关键距离减少的封装结构及其制造技术。

技术介绍

[0004]集成电路技术通过有源组件的小型化在提高计算能力方面取得了长足进步。对速度更快、功能更强、性能更高但封装尺寸越来越小的芯片组有持续的需求。一种封装解决方案是使用所谓的“倒装芯片”设备，其中芯片焊垫侧朝下直接安装到衬底上，而不是安装在使用引线键合进行电气连接的封装中。
[0005]关键距离是指代有源设备的端子与电耦合到有源设备的端子的无源组件的端子之间的距离的术语。将关键距离最小化是有益的，因为这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装，包括：衬底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域包括数目为N的金属化层，所述第二区域包括数目为M的金属化层，其中M小于N；无源组件，被设置在所述衬底的第一表面上的所述第二区域内；以及裸片，被设置在所述衬底的第二表面上的所述第二区域内，所述衬底的所述第二表面与所述衬底的所述第一表面相对，所述裸片通过所述第二区域内的所述数目为M的金属化层中的至少一个金属化层电耦合到所述无源组件。2.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一区域具有第一厚度T1，并且所述第二区域具有小于T1的第二厚度T2。3.根据权利要求1所述的封装，其中M＝1。4.根据权利要求1所述的封装，其中M>1。5.根据权利要求1所述的封装，其中所述裸片使用裸片
‑
晶片连接被电耦合到所述封装。6.根据权利要求1所述的封装，其中所述裸片是倒装芯片封装的一部分。7.根据权利要求1所述的封装，其中所述无源组件包括线路侧组件。8.根据权利要求7所述的封装，其中所述线路侧组件包括线路侧电容器、电阻器、或电感器。9.根据权利要求1所述的封装，其中所述金属化层包括铜。10.根据权利要求1所述的封装，其中所述衬底包括预浸料(PPG)。11.根据权利要求1所述的封装，其中至少一个金属化层包括重分布层。12.一种用于制造封装的方法，所述方法包括：提供衬底，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：