半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供第一基底；在第一基底上形成导电层；在导电层上形成填充层；在填充层中形成贯穿填充层的电容孔，电容孔暴露出导电层的部分表面；在电容孔内形成依次层叠的第二电极层、电介质层和第一电极层，第一电极层、电介质层和第二电极层构成电容结构；提供第二基底，第二基底的表面具有接触结构，接触结构的位置与第一电极层的位置相对应；将第一基底与第二基底正对，以使第一电极层与接触结构正对并接触，并将第一基底和第二基底键合；去除第一基底。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法至少有利于提高半导体结构的性能。导体结构的性能。导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random
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Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。
[0003]存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线结构相连、源极与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线结构能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于提高半导体结构的性能。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成导电层；在所述导电层上形成填充层；在所述填充层中形成贯穿所述填充层的电容孔，所述电容孔暴露出所述导电层的部分表面；在所述电容孔内形成依次层叠的第二电极层、电介质层和第一电极层，所述第二电极层覆盖所述电容孔的内壁和所述填充层的表面；所述电介质层覆盖所述第二电极层的表面；所述第一电极层覆盖所述电介质层的表面且填充满所述电容孔，所述第一电极层、所述电介质层和所述第二电极层构成电容结构；提供第二基底，所述第二基底的表面具有接触结构，所述接触结构的位置与所述第一电极层的位置相对应；将所述第一基底与所述第二基底正对，以使所述第一电极层与所述接触结构正对并接触，并将所述第一基底和所述第二基底键合；去除所述第一基底。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供第一基底包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成缓冲层；以及在所述第一基底上形成导电层包括：在所述缓冲层上形成所述导电层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述填充层中形成贯穿所述填充层的电容孔，包括：图形化所述填充层以形成所述电容孔，其中，所述导电层作为形成所述电容孔时的刻蚀停止层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述填充层的材料包括掺杂多晶硅、锗硅、钨、镍化铂、钛、钽、钴、氮化钽、氮化钛和钌中的至少一种；和/或所述导电层的材料包括能与所述第二电极层的材料进行键合的金属材料。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述填充层的材料与所述第二电极层的材料相同，以使得所述填充层用于作为所述第二电极层；形成所述电容结构包括：在所述电容孔内形成依次层叠的所述电介质层和所述第一电极层，所述电介质层覆盖所述电容孔的内壁和所述填充层的表面；所述第一电极层覆盖所述电介质层的表面且填充满所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊，张民慧，王金春，江长，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：