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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:37982874
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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,方法包括:提供第一基底;在第一基底上形成导电层;在导电层上形成填充层;在填充层中形成贯穿填充层的电容孔,电容孔暴露出导电层的部分表面;在电容孔内形成依次层叠的第二电极层、电介质层和...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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