【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]存储器因其具有体积小、集成化程度高以及传输速度快等特点，已被广泛应用于手机、平板电脑等智能设备中。电容作为存储器的存储单元，用于存储电荷，电容是存储器的核心结构之一，电容的大小影响着存储器的存储数据的功能。
[0003]目前，由于制备工艺的限制，导致现有存储器的电容容量较小，进而影响半导体器件的功能，器件良率较低。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种半导体结构及其形成方法，可提高半导体器件中电容的存储容量，进而提高器件的功能，提高产品的良率。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开的一个...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成多层堆叠分布的电容结构，每个所述电容结构均包括多个间隔分布的子电容，相邻两个所述电容结构内的所述子电容沿垂直于所述衬底方向一一对应的相互对接；在相邻两个所述电容结构内，位于上层内的所述子电容的下电极层在所述衬底上的正投影在位于下层内的所述子电容的下电极层在所述衬底上的正投影之内；或，在相邻两个所述电容结构内，位于上层内的所述子电容的上电极层在所述衬底上的正投影在位于下层内的所述子电容的上电极层在所述衬底上的正投影之内。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻两个所述电容结构内，位于上层内的所述子电容的下电极层的厚度大于或等于位于下层内的所述子电容的下电极层的厚度的三分之一，且位于上层内的所述子电容的下电极层的厚度小于位于下层内的所述子电容的下电极层的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻两个所述电容结构内，位于上层内的所述子电容的上电极层的厚度大于或等于位于下层内的所述子电容的上电极层的厚度的三分之一，且位于上层内的所述子电容的上电极层的厚度小于位于下层内的所述子电容的上电极层的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成多层堆叠分布的电容结构，包括：多层所述电容结构的高度沿远离所述衬底的方向上依次减小。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电容结构包括第一电容结构和第二电容结构，在所述衬底的表面形成多层堆叠分布的电容结构，每个所述电容结构均包括多个间隔分布的子电容，相邻两个所述电容结构内的所述子电容沿垂直于所述衬底方向一一对应的相互对接，包括：在所述衬底的表面上形成所述第一电容结构，在所述第一电容结构内形成间隔分布的多个第一子电容，所述第一子电容包括第一下电极层、第一介质层和第一上电极层；在所述第一电容结构上形成所述第二电容结构，在所述第二电容结构内形成间隔分布的第二子电容，所述第二子电容包括第二下电极层、第二介质层和第二上电极层；所述第一下电极层与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李超君，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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