半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备技术

本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底、背栅、半导体层、漏极、磁性隧道结以及位于半导体层远离衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极。半导体层与背栅叠层设置且绝缘；磁性隧道结位于漏极远离衬底的一侧，且与漏极接触；第一源极和第一栅极位于漏极的一侧，第二源极和第二栅极位于漏极的另一侧，且第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极分别在衬底上的正投影均与半导体层在衬底上的正投影交叠。本申请提供的半导体结构包括一个磁性隧道结和两个晶体管，相对于传统的MRAM存储单元，能够提升MRAM存储单元读写稳定性。能够提升MRAM存储单元读写稳定性。能够提升MRAM存储单元读写稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备


[0001]本申请涉及存储器领域，具体而言，本申请涉及一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。

技术介绍

[0002]MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机存取存储器)利用流经磁性隧道结中不同的自旋极化电流来驱动软磁体磁化方向的改变来实现写入功能，其具有DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)的高集成度，以及SRAM(Static Random
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Access Memory，静态随机存取存储器)的高速读写能力，还具有闪存的非易失性，是最有可能代替DRAM的先进存储技术。
[0003]目前，传统的MRAM存储单元是由一个磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)和一个选择晶体管耦合构成。
[0004]通常情况下，由于MRAM存储单元需要大的写入电流和小的读出电流，为了提高MRAM存储器的读写稳定性，可以减小选择晶体管的尺寸以减小读出电流，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；背栅，位于衬底的一侧；半导体层，位于所述背栅远离所述衬底的一侧，所述半导体层与所述背栅叠层设置且绝缘；漏极，位于所述半导体层远离所述衬底的一侧，且在所述衬底上的正投影与所述半导体层在所述衬底上的正投影交叠；磁性隧道结，位于所述漏极远离衬底的一侧，且与所述漏极接触；位于所述半导体层远离所述衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极，所述第一源极和所述第一栅极位于所述漏极的一侧，所述第二源极和所述第二栅极位于所述漏极的另一侧，且所述第一源极、所述第一栅极、所述第二源极和所述第二栅极分别在所述衬底上的正投影均与所述半导体层在所述衬底上的正投影交叠。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极关于所述漏极的垂直平分线对称设置；所述第一源极和所述第二源极关于所述漏极的垂直平分线对称设置；所述第一栅极和所述第二栅极靠近所述垂直平分线，所述第一源极和所述第二源极远离所述垂直平分线。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一绝缘介质层，位于所述第一源极与所述第一栅极之间；第二绝缘介质层，位于所述第一栅极与所述漏极之间；第三绝缘介质层，位于所述漏极与所述第二栅极之间；第四绝缘介质层，位于所述第二栅极与所述第二源极之间；第一栅介电层，位于所述背栅与所述半导体层之间；第二栅介电层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间；第三栅介电层，位于所述第二栅极与所述半导体层之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源极、所述第二源极和所述漏极均包括两个导电层，且所述两个导电层叠层设置且接触。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层的材料包括氧化铟镓锌。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位线，位于所述磁性隧道结远离所述衬底的一侧，且与所述磁性隧道结接触。7.据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第五绝缘介质层，位于所述第一源极和所述第一栅极远离所述衬底的一侧，且完全覆盖所述第一源极和所述第一栅极，且与所述磁性隧道结和所述位线接触；第六绝缘介质层，位于所述第二源极和所述第二栅极远离所述衬底的一侧，且完全覆盖所述第二源极和所述第二栅极，且与所述磁性隧道结和所述位线接触；所述第五绝缘介质层上表面和所述第六绝缘介质层的上表面，均与所述位线的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴兰松，张云森，李辉辉，余泳，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：