磁存储器装置制造方法及图纸

实施例提供了一种改善存储器基元保持特性的磁存储器装置。根据一个实施例，一种磁存储器装置包括第一、第二和第三导体层；以及耦接到第一、第二和第三导体层的存储器基元。存储器基元包括第四导体层和磁阻效应元件。第四导体层分别包括耦接到第一、第二和第三导体层的第一、第二和第三部分。第三部分位于第一和第二部分之间。磁阻效应元件耦接在第三导体层和第四导体层之间。第四导体层包括磁性层以及位于磁性层和磁阻效应元件之间的非磁性层。磁性层在存储器基元的待机状态或读取状态期间具有第一饱和磁化强度，并且在存储器基元的写入状态期间具有大于第一饱和磁化强度的第二饱和磁化强度。饱和磁化强度。饱和磁化强度。

【技术实现步骤摘要】
磁存储器装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2021年12月13日提交的日本专利申请2021
‑
201548和2022年9月1日提交的美国专利申请17/901773的优先权益，这些申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本文所述的实施例一般地涉及磁存储器装置。

技术介绍

[0004]使用磁阻效应元件作为存储元件的磁存储器装置是已知的。已经提出了各种方法作为将数据写入磁阻效应元件中的方法。

技术实现思路

[0005]实施例提供了一种改善存储器基元(memory cell)保持特性的磁存储器装置。
[0006]一般而言，根据一个实施例，一种磁存储器装置包括：第一导体层；第二导体层；第三导体层；以及三端子型存储器基元，其耦接(couple)到所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层。所述存储器基元包括：第四导体层，其包括耦接到所述第一导体层的第一部分、耦接到所述第二导体层的第二部分，以及耦接到所述第三导体层并位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储器装置，包括：第一导体层；第二导体层；第三导体层；以及三端子型存储器基元，其耦接到所述第一导体层、所述第二导体层和所述第三导体层，其中所述存储器基元包括：第四导体层，其包括耦接到所述第一导体层的第一部分、耦接到所述第二导体层的第二部分，以及耦接到所述第三导体层并位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，以及磁阻效应元件，其耦接在所述第三导体层和所述第四导体层之间；所述第四导体层包括磁性层以及设置在所述磁性层和所述磁阻效应元件之间的第一非磁性层；以及所述磁性层在所述存储器基元的待机状态或读取状态期间具有第一饱和磁化强度，并且在所述存储器基元的写入状态期间具有大于所述第一饱和磁化强度的第二饱和磁化强度。2.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中所述磁性层在所述存储器基元的所述待机状态或所述读取状态期间表现出反铁磁特性，并且在所述存储器基元的所述写入状态期间表现出铁磁特性。3.根据权利要求2所述的磁存储器装置，其中所述磁性层的温度在所述存储器基元的所述待机状态或所述读取状态期间低于所述磁性层的相变温度，并且在所述存储器基元的所述写入状态期间超过所述相变温度。4.根据权利要求2所述的磁存储器装置，其中所述磁性层包括包含铁(Fe)和铑(Rh)的合金，以及所述合金中的铁(Fe)的组成大于等于40at％且小于等于60at％。5.根据权利要求4所述的磁存储器装置，其中所述磁性层还包含选自铱(Ir)、钯(Pd)、钌(Ru)、锇(Os)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的至少一种元素。6.根据权利要求1所述的磁存储器装置，其中所述磁性层表现出铁磁性。7.根据权利要求6所述的磁存储器装置，其中所述磁性层的温度在所述存储器基元的所述待机状态或所述读取状态期间低于预定温度，并且在所述存储器基元的所述写入状态期间超过所述预定温度。8.根据权利要求6所述的磁存储器装置，其中所述磁性层包含选自镧(La)、铯(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、钇(Yb)和镥(Lu)的至少一种第一元素，以及选自铁(Fe)、钴(Co)和镍(Ni)的至少一种第二元素。9.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川将寿，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：