【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法
[0001]本申请实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)包括晶体管结构以及电容结构，晶体管结构中的晶体管与电容结构中的电容电连接，以通过晶体管读取电容内的数据、或者向电容内写入数据。磁性随机访问存储器(MRAM，Magnetic Random Access Memory)包括晶体管结构以及插在两条金属线之间的磁阻隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)，通过控制晶体管结构中的晶体管，改变磁阻隧道结的电阻值，进而读写数据。
[0003]相关技术中，为满足半导体存储器的不同使用需求，将磁性随机访问存储器中的存储单元与动态随机存储器中的存储单元集成在一起使用。然而，两种存储单元通常在垂直于衬底的方向上层叠设置，使得工艺制程繁琐，生产效率降低。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种半导体结构及半导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一阵列区和第二阵列区；所述第一阵列区上设有多个第一存储结构构成的第一存储阵列；所述第二阵列区上设有多个第二存储结构构成的第二存储阵列。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储结构包括第一位线结构、第一晶体管结构和电容结构，所述第一位线结构位于所述第一晶体管下方，所述电容结构设置在对应的所述第一晶体管结构上；所述第二存储结构包括源极线结构、第二位线结构和第二晶体管结构，所述源极线结构位于所述第二晶体管结构下方，所述第二位线结构位于所述第二晶体管结构上方；所述第一位线结构和所述源极线结构同层设置。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线结构包括沿第一方向延伸且在第二方向上间隔设置的多个第一位线，所述第一晶体管结构包括设置在所述第一位线上的多个第一有源柱，所述第一有源柱的延伸方向与所述衬底表面垂直，所述第一有源柱在所述衬底上的投影与所述第一位线在所述衬底上的投影至少部分重合，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述源极线结构包括沿第一方向延伸且在第二方向上间隔设置的多个源极线，所述第二晶体管结构包括设置在所述源极线上的多个第二有源柱，所述第二有源柱的延伸方向与所述衬底表面垂直，所述第二有源柱在所述衬底上的投影与所述源极线在所述衬底上的投影至少部分重合；所述第一有源柱与所述第二有源柱同层设置。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管结构包括沿第二方向延伸且在第一方向上间隔设置的多条第一字线，所述第一字线环绕所述第一有源柱中间侧壁设置；所述第二晶体管结构包括沿第二方向延伸且在第一方向上间隔设置的多条第二字线，所述第二字线环绕所述第二有源柱中间侧壁设置；所述第一字线与所述第二字线同层设置。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储结构还包括第一接触垫，所述第一接触垫设置在对应的所述第一有源柱上；所述第二存储结构还包括第二接触垫，所述第二接触垫设置在对应的所述第二有源柱上；所述第一接触垫与所述第二接触垫同层设置。6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括下电极、上电极及电容介质层，所述电容介质层位于所述下电极和所述上电极之间，所述上电极与所述第二位线结构同层设置。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二存储结构包括接触结构、磁性存储结构，所述磁性存储结构设置在对应的所述第二接触垫上；所述磁性存储结构通过所述接触结构与所述第二位线实现电连接。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性存储结构包括参考层、磁隧穿势垒层以及自由层，所述参考层设置在对应的所述第二接触垫上，所述磁隧穿势垒层位于所述参考层和所述自由层之间。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二位线结构包括沿第二方向延伸且在第一方向上间隔设置的多个第二位线。10.一种半导体结构的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，李辉辉，张强，吴敏敏，汪珊，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。