一种基于Bi2Se3-掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器制造技术

本发明专利技术公开一种基于Bi2Se3‑

【技术实现步骤摘要】
一种基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器


[0001]本专利技术属于磁性储存器
，特别涉及一种基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，以及基于该存储器的数据写入及读取方法。

技术介绍

[0002]1975年，Julliere在Co/Ge/Fe磁性隧道结(MagneticTunnelJunctions，MTJ)中观察到了TMR效应。所谓TMR效应，其产生机理是自旋相关的隧穿效应。若两铁磁层磁化方向互相平行，则在一个磁性层中，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，总的隧穿电流较大；若两磁性层的磁化方向反平行，情况则刚好相反，即在一个磁性层中，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态,而少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，这种状态的隧穿电流比较小。因此，隧穿电导随着两铁磁层磁化方向的改变而变化，磁化矢量平行时的电导高于反平行时的电导。通过施加外磁场可以改变两铁磁层的磁化方向，从而使得隧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：包括从上至下依次设置的顶电极、SOT
‑
MTJ和衬底，所述SOT
‑
MTJ包括从上至下依次设置的参考层、隧穿层、重金属层和自由层，所述衬底为Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构。2.如权利要求1所述的基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：所述顶电极采用铝、钌或铜材料。3.如权利要求1所述的基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：所述参考层和自由层均采用CoFeB材料。4.如权利要求1所述的基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：所述隧穿层采用NiO材料。5.如权利要求1所述的基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：所述重金属层采用钽材料。6.如权利要求1所述的基于Bi2Se3‑
掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器，其特征在于：所述参考层和隧穿层之间形成楔形倾斜。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：戚逸帆，王伟，周子唯，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：