半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底，具有第一表面；若干存储元件，位于基底的第一表面上，存储元件按第一预设图形排布；若干存储接触结构，与存储元件一一对应，且存储接触结构的底部与存储元件的顶部相接触，存储接触结构的顶部按第二预设图形排布；其中，存储接触结构的底部和存储接触结构的顶部相对设置。通过该设置使得按照第一预设图形排布的存储元件上可以形成按照第二预设图形排布的器件结构，消除存储元件的排布形状对存储元件上形成的器件结构的排布或形状的影响，达到降低工艺难度，降低生产成本的目的。降低生产成本的目的。降低生产成本的目的。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]非挥发性存储器具有高速读写、低功耗、抗辐射以及数据保存时间长等特点，对于可靠性要求高的领域，例如国防、航天航空等具有不可取代的地位。
[0003]随着半导体技术的发展，对非挥发性存储器的容量要求越来越高，为了提高非挥发性存储器的容量，需要密集地布置存储元件。但是，密集排布的存储元件限制了位线结构的形状，增加了非挥发性存储器的生产成本和工艺难度，如何降低非挥发性存储器的生产成本和工艺难度成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，可以优化非挥发性存储器的制备流程，达到降低非挥发性存储器的生产成本和工艺难度的目的。
[0005]一种半导体结构，包括：
[0006]基底，具有第一表面；
[0007]若干存储元件，位于基底的第一表面上，存储元件按第一预设图形排布；
[0008]若干存储接触结构，与存储元件一一对应，且存储接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，具有第一表面；若干存储元件，位于所述基底的第一表面上，所述存储元件按第一预设图形排布；若干存储接触结构，与所述存储元件一一对应，且所述存储接触结构的底部与所述存储元件的顶部相接触，所述存储接触结构的顶部按第二预设图形排布；其中，所述存储接触结构的底部和所述存储接触结构的顶部相对设置。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一预设图形包括正六边形，各所述存储元件位于所述正六边形的顶点位置和中心位置。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储接触结构的底部按所述第一预设图形排布。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二预设图形包括多行多列排布阵列。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：若干位线结构，任一所述位线结构与位于同一列的所述存储接触结构的顶部相接触，所述位线结构为直线。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：若干晶体管，位于所述基底与所述存储元件之间，所述晶体管与所述存储元件一一对应，所述晶体管按所述第二预设图形排布；若干晶体管接触结构，位于所述晶体管与所述存储元件之间，分别与所述晶体管、所述存储元件相接触，且所述晶体管接触结构的顶部按所述第一预设图形排布。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管接触结构的底部按所述第二预设图形排布；其中，所述晶体管接触结构的底部和所述晶体管接触结构的顶部相对设置。8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管接触结构包括：第一引出结构，所述第一引出结构的底部与所述晶体管相接触；第二引出结构，所述第二引出结构的底部与所述第一引出结构的顶部相接触，所述第二引出结构的顶部为所述晶体管接触结构的顶部；其中，所述第一引出结构的底部和所述第一引出结构的顶部相对设置，所述第二引出结构的底部和所述第二引出结构的顶部相对设置。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二引出结构的底部的面积不小于所述第一引出结构的顶部的面积。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储元件包括铁电存储元件、磁阻存储元件、阻变存储元件或相变存储元件。11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一表面；于所述基底的第一表面上形成若干存储元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，曾定桂，李辉辉，邓杰芳，曹堪宇，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：