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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底，具有第一表面；若干存储元件，位于基底的第一表面上，存储元件按第一预设图形排布；若干存储接触结构，与存储元件一一对应，且存储接触结构的底部与存储元件的顶部相接触，存储接触结构的顶部按第二预设图...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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