存储器件及其制备方法技术

本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底，以及呈阵列状设置于衬底上的多个存储单元。其中，相邻行的存储单元沿行方向错位，且任一行中相邻两个存储单元之间的距离为第一距离。相邻列的存储单元沿列方向错位，且错位的距离小于第一距离。所述存储器件及其制备方法，可以进一步提升存储器件中存储单元的集成密度，并有效减小存储单元与位线之间的接触电阻，以确保存储器件在具备高密度集成能力的同时也具备良好且稳定的存储性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]磁随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，简称MRAM)作为一种非易失性(Non
‑
Volatile)存储器，不仅可以具有静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，简称SRAM)的高速读写能力，也可以具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)的高密度集成能力。
[0003]然而，MRAM的高密度集成能力虽然有利于降低其生成成本，也可以作为MRAM相较于其他传统非闪存存储器而具备的核心竞争力之一。但是，如何进一步提升MRAM的高密度集成能力，却也成为相关技术中一个亟待解决的难题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种存储器件及其制备方法，可以进一步提升存储器件中存储单元的集成密度，并有效减小存储单元与位线之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底，以及呈阵列状设置于所述衬底上的多个存储单元；其中，相邻行的所述存储单元沿行方向错位，且任一行中相邻两个所述存储单元之间的距离为第一距离；相邻列的所述存储单元沿列方向错位，且错位的距离小于所述第一距离。2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻列的所述存储单元沿列方向错位的距离小于或等于第二距离；所述第二距离大于0.5倍的所述第一距离，且小于所述第一距离。3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻行的所述存储单元沿行方向错位的距离小于或等于0.5倍的所述第一距离。4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：设置于所述衬底与所述存储单元之间的共源线，以及平行间隔设置且沿第一方向延伸的多条栅极字线；其中，所述栅极字线位于所述供源线的上方，并与所述存储单元对应连接。5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述存储单元包括：环绕式栅极晶体管，设置于所述共源线上并与所述共源线相连接；所述环绕式栅极晶体管还与所述栅极字线对应连接；以及，存储模块，设置于所述环绕式栅极晶体管上并与所述环绕式栅极晶体管相连接。6.根据权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述存储模块包括呈柱状设置的磁隧道结。7.根据权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述环绕式栅极晶体管包括：柱状结构，所述柱状结构的底部与所述共源线相接触，所述柱状结构的顶部贯穿所述栅极字线并延伸至所述存储模块；栅介质层，位于所述柱状结构和所述栅极字线之间；所述栅介质层包覆部分所述柱状结构；源极，位于所述柱状结构底部，与所述共源线相接触；漏极，位于所述柱状结构顶部，与所述存储模块相接触。8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述柱状结构的材料包括铟镓锌氧化物。9.根据权利要求1～8中任一项所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：平行间隔设置且沿第二方向延伸的多条位线；所述位线位于所述存储单元的上方，并与所述存储单元对应连接；在所述存储器件包括栅极字线，且所述栅极字线沿第一方向延伸的情况下，所述第二方向与所述第一方向相交。10.根据权利要求9所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括多个存储节点接触结构；所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，曾定桂，李辉辉，曹堪宇，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：