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本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底，以及呈阵列状设置于衬底上的多个存储单元。其中，相邻行的存储单元沿行方向错位，且任一行中相邻两个存储单元之间的距离为第一距离。相邻列的存储单元沿列方向错位，且错位的距离小于第一距离。...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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