存储器件及其制备方法技术

本申请涉及一种存储器件及其制备方法。所述存储器件包括：衬底、共源线、多条栅极字线、多个柱状结构以及栅介质层。共源线设置于衬底上。多条栅极字线平行间隔设置于共源线的上方，且栅极字线沿第一方向延伸。多个柱状结构呈阵列状设置于共源线上，并贯穿栅极字线。相邻行的柱状结构沿行方向错位，相邻列的柱状结构沿列方向错位。栅介质层位于柱状结构和栅极字线之间。所述存储器件及其制备方法可以进一步提升存储器件的存储集成密度，并具备良好且稳定的存储性能。稳定的存储性能。稳定的存储性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]磁随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，简称MRAM)作为一种非易失性(Non
‑
Volatile)存储器，不仅可以具有静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，简称SRAM)的高速读写能力，也可以具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)的高密度集成能力。
[0003]然而，MRAM的高密度集成能力虽然有利于降低其生成成本，也可以作为MRAM相较于其他传统非闪存存储器而具备的核心竞争力之一。但是，如何进一步提升MRAM的高密度集成能力，却也成为相关技术中一个亟待解决的难题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种存储器件及其制备方法，可以进一步提升存储器件的存储集成密度，并有效减小存储模块与位线之间的接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底；共源线，设置于所述衬底上；多条栅极字线，平行间隔设置于所述共源线的上方；所述栅极字线沿第一方向延伸；多个柱状结构，呈阵列状设置于所述共源线上，并贯穿所述栅极字线；相邻行的所述柱状结构沿行方向错位，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位；以及，栅介质层，位于所述柱状结构和所述栅极字线之间。2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：多个存储模块；所述存储模块对应设置于所述柱状结构的上方，并与所述柱状结构连接。3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：多条位线，平行间隔设置于所述存储模块的上方；所述位线沿第二方向延伸，并与所述存储模块对应连接；所述第二方向与所述第一方向相交。4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括：多个存储节点接触结构；所述存储节点接触结构位于所述存储模块上，且至少部分覆盖所述存储模块；所述位线通过所述存储节点接触结构与所述存储模块对应连接。5.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述存储模块包括磁隧道结。6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述共源线包括掺杂硅；所述柱状结构包括单晶硅。7.根据权利要求1～6中任一项所述的存储器件，其特征在于，任一行中相邻两个所述柱状结构之间的距离为第一距离；相邻列的所述柱状结构沿列方向错位的距离小于所述第一距离。8.根据权利要求7所述的存储器件的制备方法，其特征在于，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位的距离小于或等于第二距离；所述第二距离大于0.5倍的所述第一距离，且小于所述第一距离。9.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，相邻行的所述柱状结构沿行方向错位的距离小于或等于0.5倍的所述第一距离。10.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成共源线；在所述共源线上形成呈阵列状设置的多个柱状结构，其中，相邻行的所述柱状结构沿行方向错位，相邻列的所述柱状结构沿列方向错位；在所述柱状结构的侧壁上形成栅介质层；在所述共源线上形成被所述柱状结构和所述栅介质层贯穿的第一介质层；在所述第一介质层上形成平行间隔设置的多条栅极字线，其中，沿第一方向排列的所述柱状结构及其外侧的所述栅介质层贯穿同一条所述栅极字线；在所述第一介质层上形成覆盖所述栅极字线、且被所述柱状结构和所述栅介质层贯穿的第二介质层。11.根据权利要求10所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述柱状结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，曾定桂，李辉辉，曹堪宇，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：