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本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中两种存储单元通常在垂直于衬底的方向上层叠设置，使得工艺制程繁琐，生产效率降低。包括衬底，衬底包括第一阵列区和第二阵列区；第一阵列区上设有多个...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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