半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一导电线；第二导电线，该第二导电线被设置在第一导电线上，以与第一导电线间隔开；选择器层，该选择器层被设置在第一导电线与第二导电线之间；可变电阻层，该可变电阻层被设置在第一导电线与第二导电线之间；以及第一电极层，该第一电极层包括石墨烯并且被设置在可变电阻层与选择器层之间。烯并且被设置在可变电阻层与选择器层之间。烯并且被设置在可变电阻层与选择器层之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年12月7日提交的申请号为10
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2021
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0174187的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利文献涉及存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用。

技术介绍

[0004]近来电气及电子行业朝向小型化、低功耗、高性能和多功能性的趋势迫使半导体制造商专注于高性能、高容量的半导体器件。这种高性能、高容量的半导体器件的示例包括能够通过根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换来储存数据的存储器件。半导体器件可以包括RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)和电熔丝(E
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fuse)。

技术实现思路

[0005]本专利文献中公开的技术包括：存储电路或存储器件及它们在半导体器件或半导体系统中的应用、以及可以改善半导体器件的性能并减少制造缺陷的半导体器件的各种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一导电线；第二导电线，所述第二导电线被设置在所述第一导电线上，以与所述第一导电线间隔开；选择器层，所述选择器层被设置在所述第一导电线与所述第二导电线之间；可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述第一导电线与所述第二导电线之间；以及第一电极层，所述第一电极层包括石墨烯并且被设置在所述可变电阻层与所述选择器层之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述石墨烯具有单原子层结构或二至七层的多层结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极层将所述可变电阻层和所述选择器层彼此物理隔离并且将所述可变电阻层和所述选择器层彼此电连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述选择器层被设置在所述第一导电线与所述第一电极层之间，并且所述可变电阻层被设置在所述第一电极层与所述第二导电线之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二电极层，所述第二电极层被设置在所述第一导电线与所述选择器层之间；以及第三电极层，所述第三电极层被设置在所述可变电阻层与所述第二导电线之间。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电极层的厚度小于所述第二电极层或所述第三电极层至少一个。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电极层的表面粗糙度低于所述第二电极层或所述第三电极层至少一个。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括硬掩模图案，所述硬掩模图案被设置在所述可变电阻层与所述第二导电线之间。9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成第一导电线；在所述第一导电线之上形成选择器层；在所述选择器层之上形成包括石墨烯的第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：申珖赫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：