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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一导电线；第二导电线，该第二导电线被设置在第一导电线上，以与第一导电线间隔开；选择器层，该选择器层被设置在第一导电线与第二导电线之间；可变电阻层，该可变电阻层被设置在第一导电线与第...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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