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本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底、背栅、半导体层、漏极、磁性隧道结以及位于半导体层远离衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极。半导体层与背栅叠层设置且绝缘；磁性隧道结位于漏极远...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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